JRSMD1206 Spannungsspitzenunterdrücker

JRGDT SMD1206 Serie

Oberflächenmontierbares GDT der Serie JRSMD1206 | 1206-Gehäuse, hochisolierendes GDT für Kommunikation und Überspannungsschutz bei geringem Stromverbrauch

Produktbeschreibung
Produktparameter

Die JRSMD1206-Serie verfügt über eine Standard-1206-Fußfläche für Oberflächenmontage-GDT mit bipolarem Aufbau, bietet <1ns Reaktionszeit, geringe Kapazität (<1pF) und hohe Isolationswiderstand (>10⁹Ω). Sie ist für den Schlagspannungsschutz in Kommunikationsleitungen, Batterieanschlüssen, Niedrigleistungsvorrichtungen und Präziseinrichtungen konzipiert und bietet Durchbruchsspannungen von 90V, 150V, 230V, 300V und 350V. Die Schlagstrombelastbarkeit erreicht bis zu 1kA (8/20μs), ideal für hochdichte SMT-Platinen.

Schutz von Niederspannungszeichen für intelligente Endgeräte
Kommunikations- & Schutzschnittstellen für Akkupacks
Schutz der RS485 / RS232 / CAN-Empfänger
Stromspitzenunterdrückung für PoE, USB, Messanschlüsse
Industrielle Steuerung und Sicherheitsmodule
Autosignale und BMS-Systeme

JRTeilenummer	Gleichspannungs-Schlagüberspannung	Maximale Impuls-Schlagspannung		Minimum Isolationswiderstand	Maximum Kapazität	BOGEN Spannung	Nennimpuls Entladestrom	Größe
JR1206-90ASMD	90V±30%	≤600V	≤700V	1 GΩ	＜0,5 pF	~10 V	0,5kA	3,2 * 1,6 * 1,6 (1206)
JR1206-150ASMD	150V±30%	≤600V	≤700V	1 GΩ	＜0,5 pF	~10 V	0,5kA	3,2 * 1,6 * 1,6 (1206)
JR1206-200ASMD	200V±30%	≤ 650 V	≤750V	1 GΩ	＜0,5 pF	~10 V	0,5kA	3,2 * 1,6 * 1,6 (1206)
JR1206-230ASMD	230V±30%	≤ 650 V	≤750V	1 GΩ	＜0,5 pF	~10 V	0,5kA	3,2 * 1,6 * 1,6 (1206)
JR1206-300ASMD	300V±30%	≤700V	≤800V	1 GΩ	＜0,5 pF	~10 V	0,5kA	3,2 * 1,6 * 1,6 (1206)
JR1206-350ASMD	350V±30%	≤750V	≤850V	1 GΩ	＜0,5 pF	~10 V	0,5kA	3,2 * 1,6 * 1,6 (1206)
JR1206-400ASMD	400V±30%	≤850V	≤950V	1 GΩ	＜0,5 pF	~10 V	0,5kA	3,2 * 1,6 * 1,6 (1206)
JR1206-420ASMD	420V±30%	≤850V	≤950V	1 GΩ	＜0,5 pF	~10 V	0,5kA	3,2 * 1,6 * 1,6 (1206)
JR1206-470ASMD	470V±30%	≤950V	≤1050V	1 GΩ	＜0,5 pF	~10 V	0,5kA	3,2 * 1,6 * 1,6 (1206)