K4F8E3S4HD-MGCL0JP | Samsung LPDDR4X 8Gb-Speicherchip | Hochgeschwindigkeits-, stromsparender mobiler und eingebetteter Speicher

K4F8E3S4HD- MGCL0JP

8 GB schneller, energiesparender LPDDR4X-DRAM, optimiert für mobile und eingebettete Anwendungen.

Produktbeschreibung

PRODUKTOVERSICHT

K4F8E3S4HD-MGCL0JP ist ein 8-Gb-LPDDR4X-DRAM von Samsung Semiconductor, entwickelt für hohe Bandbreite und ultraniedrigen Stromverbrauch. Vollständig kompatibel mit dem JEDEC-LPDDR4X-Standard unterstützt es Datentransferraten von bis zu 4266 Mbps bei einer Betriebsspannung von nur 1,1 V. Dank des kompakten 200-poligen FBGA-Gehäuses gewährleistet der Chip eine hervorragende thermische Effizienz und Signalstabilität und eignet sich daher ideal für Smartphones, Fahrzeugsysteme, KI-Controller und industrielle IoT-Anwendungen.

Hauptmerkmale

JEDEC-konformer LPDDR4X-Standard
Unterstützt Datentransferraten von bis zu 4266 Mbps pro Pin
Betrieb bei niedriger Spannung 1,1 V ± 0,06 V zur Reduzierung des Stromverbrauchs
Zwei 16-Bit-Kanäle für höhere Systembandbreite
Beinhaltet CA-Training und Latenzkalibrierungsfunktionen
Automatische Aktualisierung und tiefer Energiesparmodus für hohe Energieeffizienz
Kompaktes 200-Ball-FBGA-Gehäuse für platzkritische Designs
Ideal für mobile, automotive und industrielle Anwendungen

Anwendungen

Smartphones und Tablets
Automotive Infotainmentsysteme und Navigationssysteme
KI- und Edge-Computing-Geräte
Industrielle Automatisierung und IoT-Controller
Consumer- und tragbare Elektronik

Technische Spezifikationen

Parameter	Wert
Dichte	8 Gb (1G × 8)
Datenrate	4266 Mbps
VDDQ	1,1 V ± 0,06 V
Kanäle	2 × 16-Bit
Verpackung	200-Ball FBGA
Abmessung	10 × 10 × 0,8 mm
Temperaturbereich	-40 °C ~ +95 °C
Funktionen	CA-Training, Auto-Refresh
Schnittstelle	LPDDR4X
Leistungsfähigkeit	Tiefschlaf / Selbstaktualisierung

Angebotsanfrage

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