JRESD DFN1006-3L Serie | 3-polige Ultratiefkondensatorische ESD TVS-Dioden für Hochgeschwindigkeitsschnittstellen
Die JRESD DFN1006-3L Serie bietet einen ultrakompakten 3-Pol-TVSSchutz in einem DFN1,0×0,6mm Gehäuse. Mit extrem geringer Kapazität (typ. 0,25pF) und sehr kurzer Reaktionszeit (<0,5ns) ist er ideal für Hochgeschwindigkeits-Differenzialleitungen wie USB 3.1, HDMI 2.1, DisplayPort, Thunderbolt und MIPI D/C-PHY.
Sein symmetrisches Layout ermöglicht sowohl Gemeinschaftsmodus- als auch Differenzialmodusschutz, wobei gleichzeitig ein niedriger Durchlassstrom und -spannung gewährleistet wird.
Es schützt empfindliche ICs ohne die Signalintegrität zu beeinträchtigen. Eine ideale Lösung für Smartphones, Tragbare Geräte, Laptops und kompakte industrielle Designs.
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Teilename |
TYP |
VRWM(V) |
VBR _Min(V) |
VBR _Max(V) |
IPP(A) |
VC@IPP(V) |
Cj _TYP(PF) |
IR@VRWM(μA) |
Tj(℃) |
Status |
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JRESD5V0LTB |
2 Zeilen Bi |
5 |
5.3 |
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7 |
11 |
10 |
0.1 |
125 |
Aktiv |
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JRESD5V0LTB1 |
Bi |
5 |
5 |
|
8 |
12 |
17 |
0.1 |
125 |
Aktiv |
|
JRESDSLC3V3LT |
2 Zeilen Uni |
3.3 |
8.5 |
|
9 |
5 |
1.2 |
0.05 |
125 |
Aktiv |
|
JRESDSLC5V0LT |
2 Zeilen Uni |
5 |
7 |
9 |
3.5 |
12 |
0.4 |
0.1 |
125 |
Aktiv |
EN