MT41K256M16TW-107:P

Bộ nhớ SDRAM DDR3L tiết kiệm điện cho Nhúng công nghiệp, Mạng và Điện tử tiêu dùng

Mô tả Sản phẩm

Tổng quan về Sản phẩm

MT41K256M16TW-107:P là loại DDR3L SDRAM 4Gb (256M × 16) của Micron, hỗ trợ tốc độ 1066MT/s (DDR3-1066) với điện áp hoạt động thấp 1,35V. Sản phẩm này mang lại mức tiêu thụ điện năng thấp hơn trong khi vẫn duy trì tính ổn định, băng thông và độ phản hồi như mong đợi từ dòng bộ nhớ DDR3.

Thiết bị này lý tưởng cho các hệ thống nhúng và công nghiệp yêu cầu độ tin cậy lâu dài, chẳng hạn như HMI, bộ điều khiển công nghiệp, cổng kết nối IoT, thiết bị mạng và thiết bị điện tử tiêu dùng.

Tính năng nổi bật

dDR3L 4Gb với cấu trúc 256M × 16
Tốc độ dữ liệu lên đến 1066MT/s
DDR3L điện áp thấp 1,35V (tương thích ngược với DDR3 1,5V)
Độ trễ thấp và độ toàn vẹn tín hiệu cao
Phù hợp cho các ứng dụng công nghiệp, mạng và thiết bị thông minh
Độ tin cậy tuyệt vời cho hoạt động liên tục
Gói FBGA hỗ trợ bố trí bo mạch mật độ cao
Tương thích với các bộ điều khiển và SoC DDR3 phổ biến

Các lĩnh vực ứng dụng

Bộ điều khiển công nghiệp (PLC, HMI, IPC nhúng)
Thiết bị cạnh IoT/AIoT
Hệ thống mạng (bộ định tuyến, bộ chuyển mạch)
Thiết bị gia dụng thông minh và điện tử tiêu dùng
Camera an ninh, hộp set-top, mô-đun hình ảnh
Thiết bị điện tử y tế và thiết bị đo lường
Động cơ đa phương tiện và hệ thống hiển thị

Thông số kỹ thuật chính

Mục	Thông số kỹ thuật
Loại bộ nhớ	DDR3L SDRAM
Mật độ	4GB
Tổ chức	256M × 16
Tỷ lệ dữ liệu	1066MT/s
Điện áp hoạt động	1,35V (tương thích 1,5V)
Nhà sản xuất	Micron
Bao bì	FBGA
Nhiệt độ hoạt động	Hỗ trợ nhiệt độ mở rộng
Tiêu chuẩn	JEDEC DDR3L

Yêu cầu báo giá

Để yêu cầu báo giá cho MT41K256M16TW-107:P—bao gồm tình trạng sẵn có, thời gian giao hàng, MOQ, chi tiết lô hàng, bảng dữ liệu hoặc các khuyến nghị thay thế—vui lòng gửi yêu cầu RFQ.

Chúng tôi hỗ trợ cung cấp hàng tồn kho, tìm nguồn linh kiện khan hiếm, đóng gói BOM và lập kế hoạch sản xuất dài hạn.