bộ nhớ DRAM LPDDR4X 8Gb tiêu thụ điện năng thấp, tốc độ cao dành cho thiết bị di động, IoT và các ứng dụng nhúng.
Tổng quan về Sản phẩm
K4U8E3S4AD-MGCL0JP là chip nhớ DRAM LPDDR4X 8Gb của Samsung Semiconductor, được tối ưu hóa cho hiệu suất cao và tiêu thụ điện năng thấp. Hoạt động ở mức điện áp chỉ 1.1V và hỗ trợ tốc độ lên đến 4266 Mbps, sản phẩm mang lại băng thông vượt trội và hiệu quả năng lượng cao. Với thiết kế đóng gói FBGA 200 chân, nó đảm bảo độ tin cậy về nhiệt và tích hợp nhỏ gọn, rất phù hợp cho điện thoại thông minh, máy tính bảng, thiết bị điện tử ô tô, hệ thống AI và các nền tảng IoT nhúng.
Tính năng nổi bật
Ứng dụng
Thông số kỹ thuật
| Thông số kỹ thuật | Giá trị |
| Mật độ | 8 Gb (1G × 8) |
| Tỷ lệ dữ liệu | 4266 Mbps |
| VDDQ | 1.1V ± 0.06V |
| Bao bì | 200-Ball FBGA |
| Kích thước | 10 × 10 × 0,8 mm |
| Phạm vi nhiệt độ | -40°C ~ +95°C |
| Kiến trúc | 8 Bank |
| Chức năng | Đào tạo CA, Làm mới Tự động |
| Giao diện | LPDDR4X |
| Hiệu quả năng lượng | Chế độ ngủ sâu / tự làm mới |
Yêu cầu báo giá
Để có thông tin tồn kho, giá cả và giao hàng theo thời gian thực của K4U8E3S4AD-MGCL0JP, vui lòng bao gồm Số lượng (Qty), Thời gian giao hàng yêu cầu và Giá mục tiêu trong RFQ của bạn. Đội ngũ chúng tôi sẽ nhanh chóng cung cấp báo giá tốt nhất cùng hỗ trợ cho việc đóng gói BOM, cung ứng tại chỗ và quản lý tồn kho.
EN
