K4RAH086VB-BCQK

bộ nhớ SDRAM DDR5 tốc độ cao, tiêu thụ điện năng thấp dung lượng 16Gb cho trung tâm dữ liệu và các ứng dụng tính toán hiệu suất cao.

Mô tả Sản phẩm

Tổng quan về Sản phẩm

K4RAH086VB-BCQK là chip DDR5 SDRAM 16Gb của Samsung Semiconductor, được tổ chức thành 2G × 8 và tuân thủ tiêu chuẩn JEDEC DDR5. Hoạt động ở mức điện áp 1,1V và hỗ trợ tốc độ truyền dữ liệu lên đến 4800 Mbps, sản phẩm mang lại băng thông vượt trội và hiệu quả năng lượng cao hơn so với DDR4. Với PMIC tích hợp để quản lý nguồn và ECC trên die nhằm cải thiện độ tin cậy dữ liệu, sản phẩm rất phù hợp cho máy chủ, tính toán AI, thiết bị mạng và các hệ thống nhúng cao cấp.

Tính năng nổi bật

Tiêu chuẩn DDR5 SDRAM tuân thủ JEDEC
Hỗ trợ tốc độ dữ liệu lên đến 4800 Mbps (DDR5-4800)
Hoạt động ở mức 1,1V ± 0,05V để tăng hiệu quả năng lượng
PMIC tích hợp giúp giảm độ phức tạp nguồn trên bo mạch chủ
ECC trên die đảm bảo độ tin cậy dữ liệu được nâng cao
Hai kênh 32-bit mang lại băng thông song song cao hơn
Hỗ trợ chế độ làm mới tự động, hiệu chuẩn và tắt nguồn sâu
Gói FBGA 96 bóng nhỏ gọn đảm bảo độ toàn vẹn tín hiệu vượt trội

Ứng dụng

Các mô-đun bộ nhớ máy chủ và trung tâm dữ liệu
Bộ gia tốc tính toán AI và học sâu
Thiết bị mạng và bộ định tuyến tốc độ cao
Tự động hóa công nghiệp và bộ điều khiển nhúng
Đồ họa và máy tính hiệu suất cao (HPC)

Thông số kỹ thuật

Thông số kỹ thuật	Giá trị
Mật độ	16 Gb (2G × 8)
Tỷ lệ dữ liệu	4800 Mbps
VDD	1.1V ± 0.05V
Quản lý năng lượng	tích hợp PMIC
ECC	ECC trên die
Bao bì	vỏ 96 chân FBGA
Kích thước	9 × 8 × 1,2 mm
Phạm vi nhiệt độ	-40°C ~ +95°C
Kiến trúc	8 Bank × 2 × 32-bit
Chức năng	PMIC, ECC, Tự động làm tươi
Giao diện	SSTL_11

Yêu cầu báo giá

Để biết thông tin tồn kho, giá cả và giao hàng theo thời gian thực của K4RAH086VB-BCQK, vui lòng cung cấp Số lượng (Qty), Thời gian chuẩn bị yêu cầu và Giá mục tiêu trong RFQ. Đội ngũ của chúng tôi sẽ nhanh chóng cung cấp báo giá tốt nhất cùng hỗ trợ về bộ kít BOM, nguồn cung ứng tại chỗ và quản lý tồn kho.