K4U8E3S4AD-MGCL0JP | Чіп пам'яті Samsung LPDDR4X 8 Гбіт | Висока швидкість, енергоефективна мобільна та вбудована пам'ять

Огляд продукту

K4U8E3S4AD-MGCL0JP — це 8 Гбіт DRAM LPDDR4X від Samsung Semiconductor, оптимізована для високопродуктивної роботи з мінімальним споживанням енергії. При робочій напрузі всього 1,1 В і підтримці швидкостей до 4266 Мбіт/с забезпечує виняткову пропускну здатність та енергоефективність. Корпус 200-ball FBGA гарантує надійність у тепловому режимі та компактне інтегрування, що робить цей чіп ідеальним для смартфонів, планшетів, автомобільної електроніки, систем штучного інтелекту та вбудованих IoT-платформ.

Основні особливості

• Відповідає стандарту JEDEC LPDDR4X
• Швидкість передачі даних до 4266 Мбіт/с на контакт
• Робота при низькій напрузі: V_DDQ = 1,1 В ± 0,06 В
• архітектура з 8 банків для ефективного паралельного доступу
• Вбудоване навчання командних адрес (CA) та оптимізація затримки команд
• Режими автоматичного оновлення та глибокого відключення для наднизького енергоспоживання
• корпус 200-ball FBGA для виняткової продуктивності за сигналом і тепловіддачею
• Ідеальний варіант для компактних мобільних та вбудованих рішень

Застосування

• Смартфони та планшети
• Автомобільні інформаційно-розважальні та навігаційні системи
• Промислова автоматизація та контролери Інтернету речей
• Обчислення на крайових пристроях штучного інтелекту та інтелектуальні термінали
• Розумні носимі пристрої та побутова електроніка

Технічні специфікації

Запит на ціну

Для отримання актуальних даних про наявність на складі, ціни та терміни доставки K4U8E3S4AD-MGCL0JP, будь ласка, вкажіть у запиті кількість (Qty), необхідний термін поставки та цільову ціну. Наша команда оперативно надасть найкращу пропозицію та підтримку щодо комплектації BOM, разових поставок та управління запасами.