16 Гб швидкодіючої енергоефективної оперативної пам'яті DDR5 SDRAM для центрів оброблення даних і застосунків з високим рівнем продуктивності
Огляд продукту
K4RAH086VB-BCQK — це 16 Гб чіп DDR5 SDRAM від Samsung Semiconductor, організований як 2G × 8 і сумісний зі стандартами JEDEC DDR5. Працює при напрузі 1,1 В і підтримує швидкість передачі даних до 4800 Мбіт/с, забезпечуючи вищу пропускну здатність і енергоефективність у порівнянні з DDR4. Має інтегрований PMIC для керування живленням і вбудований ECC для підвищення надійності даних, що робить його ідеальним для серверів, обчислень у сфері штучного інтелекту, мережевого обладнання та високопродуктивних вбудованих систем.
Основні особливості
Застосування
Технічні специфікації
| Параметр | Значення |
| Щільність | 16 Гб (2Г × 8) |
| Швидкість передачі даних | 4800 Мбіт/с |
| VDD | 1,1 В ± 0,05 В |
| Управління енергією | вбудований PMIC |
| ECC | On-die ECC |
| Пакування | 96-Ball FBGA |
| Розмір | 9 × 8 × 1,2 мм |
| Температурний діапазон | -40°C ~ +95°C |
| Архітектура | 8 банків × 2 × 32-біт |
| Функції | PMIC, ECC, автоматичне оновлення |
| Інтерфейс | SSTL_11 |
Запит на ціну
Для отримання актуальної інформації про наявність, ціни та терміни доставки K4RAH086VB-BCQK, будь ласка, вкажіть у запиті кількість (Qty), необхідний термін поставки та цільову ціну. Наша команда оперативно надасть найкращу пропозицію та підтримку щодо комплектації BOM, разових поставок та управління запасами.