K4F8E304HB-MGCJ | Чіп пам'яті Samsung LPDDR4 8 Гб | Висока швидкість, енергоефективна мобільна та вбудована пам'ять

Огляд продукту

K4F8E304HB-MGCJ — це 8 Гб LPDDR4 DRAM від Samsung Semiconductor, розроблений для високого пропускної здатності та ультра низького енергоспоживання. Відповідно до стандарту JEDEC LPDDR4, підтримує швидкість передачі даних до 3733 Мбіт/с при робочій напрузі 1,1 В. Корпус із 200 контактів FBGA забезпечує відмінну цілісність сигналу та компактне інтегрування, що робить його ідеальним для мобільних пристроїв, автомобільних систем, контролерів IoT та промислових вбудованих платформ.

Основні особливості

• Відповідність стандарту JEDEC LPDDR4
• Швидкість передачі даних до 3733 Мбіт/с на контакт
• Робота при напрузі 1,1 В ± 0,06 В для ультра низького енергоспоживання
• Два 16-бітні канали для підвищеної пропускної здатності
• Вбудований механізм калібрування та навчання командних адрес (CA training)
• Підтримка режимів самонаведення, глибокого відключення живлення та управління живленням
• Компактний корпус FBGA з 200 контактами для надійної роботи з сигналами
• Ідеально підходить для мобільних та вбудованих пристроїв з пам'яттю

Застосування

• Смартфони та планшети
• Автомобільні інформаційно-розважальні та навігаційні системи
• Промислове керування та пристрої Інтернету речей
• Обчислення на основі штучного інтелекту та крайові процесорні блоки
• Носимі та побутові електронні пристрої

Технічні специфікації

Запит на ціну

Для отримання актуальних даних про наявність на складі, ціни та терміни поставки K4F8E304HB-MGCJ, будь ласка, вкажіть у запиті кількість (Qty), необхідний час виготовлення та цільову ціну. Наша команда оперативно надасть найкращу пропозицію та підтримку щодо комплектації BOM, разових поставок і управління запасами.