K4B1G1646I-BYMA | Чіп пам'яті Samsung DDR3 SDRAM | Промислова високопродуктивна пам'ять

Огляд продукту

K4B1G1646I-BYMA — це 1 Гб DDR3 SDRAM від Samsung Semiconductor, розроблений для застосувань із високою смугою пропускання та низьким енергоспоживанням. З працюванням при напрузі 1,5 В і швидкістю передачі даних до 1600 Мбіт/с забезпечує відмінну продуктивність і надійність. Корпус 78-Ball FBGA забезпечує компактність конструкції та стабільні теплові характеристики, що робить його ідеальним для вбудованих систем, мережевих, автомобільних та промислових застосувань, де потрібна ефективна робота пам'яті.

Основні особливості

• DDR3 SDRAM, сумісна зі стандартом JEDEC
• Швидкість передачі даних до 1600 Мбіт/с (DDR3-1600)
• робота при напрузі 1,5 В ±0,075 В для зниження енергоспоживання
• Вбудований DLL для точного керування часом і синхронізації
• Підтримка режимів автоматичного оновлення, самонавантаження та вимкнення живлення
• Компактний корпус 78-Ball FBGA для покращеної якості сигналу
• Широкий діапазон робочих температур (-40°C до +95°C)
• Тривалий життєвий цикл продукту, придатний для промислових умов

Застосування

• Промислові системи керування та вбудовані материнські плати
• Автомобільна електроніка та системи інформації та розваг
• Пристрої мережевого зв'язку та маршрутизатори
• Побутова електроніка та дисплейні системи
• Медичні прилади та розумні побутові пристрої

Технічні специфікації

Запит на ціну

Для отримання актуальних даних про наявність на складі, ціни та строки доставки K4B1G1646I-BYMA, будь ласка, вкажіть у запиті кількість (Qty), необхідний строк поставки та цільову ціну. Наша команда оперативно надішле найкращу пропозицію та підтримку щодо комплектації BOM, разових поставок та управління запасами.