K4AAG165WC-BCWE | Мікросхема пам'яті Samsung DDR4 16 Гб ×16 SDRAM | Висока швидкість, низьке енергоспоживання, промислового рівня

Огляд продукту

K4AAG165WC-BCWE — це високопродуктивна мікросхема пам'яті DDR4 SDRAM обсягом 16 Гб від Samsung Semiconductor, організована як 1G × 16 і сумісна зі стандартами JEDEC DDR4. Вона забезпечує швидкість передачі даних до 3200 Мбіт/с при роботі на напрузі лише 1,2 В, пропонуючи високу пропускну здатність зі зниженим енергоспоживанням. У корпусі FBGA з 96 контактами чіп забезпечує високу теплову стабільність та цілісність сигналу, що робить його ідеальним для серверів, мережевих пристроїв, обчислень штучного інтелекту, промислової автоматики та автомобільних систем, де потрібна довготривала надійність.

Основні особливості

• Відповідність стандарту JEDEC DDR4 SDRAM
• Підтримка швидкості передачі даних до 3200 Мбіт/с (DDR4-3200)
• Працює при напрузі 1,2 В ± 0,06 В для енергоефективності
• 16-бітна розрядність даних для підвищеної продуктивності
• Інтегрований DLL для точного синхронізування таймінгів
• Автоматичне оновлення, режим самоновлення та глибокий режим зниження споживання енергії
• Широкий діапазон робочих температур (-40°C до +95°C) для використання в промислових умовах
• Компактний корпус FBGA з 96 виводами для відмінної роботи з сигналом і тепловідведенням

Застосування

• Модулі пам'яті для серверів і центрів оброблення даних
• Мережеві та системи зберігання даних
• Промислова автоматизація та вбудовані пристрої
• Автомобільні інформаційно-розважальні системи та платформи штучного інтелекту
• Споживчі та високопродуктивні системи керування

Технічні специфікації

Запит на ціну

Для отримання актуальних даних про наявність, ціни та терміни поставки K4AAG165WC-BCWE, будь ласка, вкажіть у запиті кількість (Qty), необхідний термін поставки та цільову ціну. Наша команда оперативно надасть найкращу пропозицію та підтримку щодо комплектації BOM, оперативних поставок та управління запасами.