K4AAG165WA-BIWETCT | Мікросхема пам'яті Samsung DDR4 16 Гб ×16 SDRAM | Швидкодіюча, енергоефективна промислова та серверна пам'ять

Огляд продукту

K4AAG165WA-BIWETCT — це високопродуктивна мікросхема пам'яті DDR4 SDRAM обсягом 16 Гб від Samsung Semiconductor, організована як 1G × 16. Вона підтримує швидкість передачі даних до 3200 Мбіт/с на контакт при роботі з напругою 1,2 В, поєднуючи високу пропускну здатність із низьким енергоспоживанням. У корпусі 96-вивідного FBGA забезпечує відмінні теплові та сигнальні характеристики, що робить її ідеальною для серверів, промислових систем керування, автомобільної електроніки та обчислювальних систем на основі штучного інтелекту, які потребують тривалої стабільності та надійності.

Основні особливості

• Відповідність стандарту JEDEC DDR4 SDRAM
• Підтримка швидкості передачі даних до 3200 Мбіт/с (DDR4-3200)
• Робота при низькій напрузі 1,2 В ± 0,06 В для ефективності
• 16-бітна ширина даних для високого пропускання на одну мікросхему
• Інтегрований DLL для точного синхронізування таймінгів
• Підтримка режимів автооновлення, самоновлення та економії енергії
• Широкий діапазон робочих температур (-40°C до +95°C) для промислових умов
• Компактний корпус 96-вивідного FBGA із високими сигнальними та тепловими характеристиками

Застосування

• Модулі пам'яті для серверів і центрів оброблення даних
• Мережеві та комунікаційні системи
• Промислове керування та вбудовані контролери
• Автомобільне інфотеймент-обладнання та системи автономного керування
• Обчислення на основі штучного інтелекту та високопродуктивна електроніка

Технічні специфікації

Запит на ціну

Для отримання актуальних даних про наявність на складі, ціни та терміни поставки K4AAG165WA-BIWETCT, будь ласка, вкажіть у запиті обсяг (Qty), необхідний термін поставки та цільову ціну. Наша команда оперативно надасть найкращу пропозицію та підтримку щодо комплектації BOM, разових поставок та управління запасами.