K4A8G165WC-BCTD | Чіп пам'яті Samsung DDR4 8 Гб ×16 SDRAM | Висока швидкість, низьке енергоспоживання, промислового рівня

Огляд продукту

K4A8G165WC-BCTD — це 8 Гб DDR4 SDRAM від Samsung Semiconductor, організована як 512 М × 16. Працює при напрузі 1,2 В і підтримує швидкість передачі даних до 3200 Мбіт/с, забезпечуючи високу пропускну здатність, низьке енергоспоживання та високу цілісність сигналу. Компактний корпус FBGA з 96 контактами робить його ідеальним для високощільних серверних модулів, мережевих систем, автомобільної електроніки та промислових вбудованих рішень.

Основні особливості

• DDR4 SDRAM, сумісна зі стандартом JEDEC
• Підтримка швидкості передачі даних до 3200 Мбіт/с (DDR4-3200)
• Робоча напруга 1,2 В ± 0,06 В для низького енергоспоживання та високої ефективності
• 16-бітна ширина даних для підвищеної пропускної здатності на чіп
• Інтегрований DLL для точного керування часом і синхронізації
• Підтримка автоматичного оновлення, самоновлення та глибокого режиму зниження споживання енергії
• Широкий діапазон температур (-40°C до +95°C) для промислового використання
• корпус 96-ball FBGA забезпечує надійну передачу сигналу та теплову продуктивність

Застосування

• Модулі пам'яті для серверів і центрів оброблення даних
• Мережеві та комунікаційні системи
• Промислова автоматизація та вбудовані контролери
• Автомобільні інформаційно-розважальні системи та блоки керування на основі штучного інтелекту
• Побутова електроніка та високопродуктивні пристрої відображення

Технічні специфікації

Запит на ціну

Для отримання актуальних даних про наявність на складі, ціни та терміни поставки K4A8G165WC-BCTD, будь ласка, вкажіть у запиті кількість (Qty), необхідний термін поставки та цільову ціну. Наша команда оперативно надішле найкращу пропозицію та підтримку щодо комплектації BOM, разових поставок і управління запасами.