K4A4G165WG-BCWE | Мікросхема пам'яті Samsung DDR4 4 Гб ×16 SDRAM | Високошвидкісна, енергоефективна пам'ять

Огляд продукту

K4A4G165WG-BCWE — це мікросхема DDR4 SDRAM обсягом 4 Гб від Samsung Semiconductor, структурована як 256 М × 16, що забезпечує швидкість передачі даних до 3200 Мбіт/с на контакт. При роботі з напругою 1,2 В забезпечує високу енергоефективність і точність таймінгів. Корпус 96-ball FBGA забезпечує компактне розташування, термостабільність і тривалу надійність — ідеальний варіант для серверів, мережевого обладнання, промислової автоматики та автомобільної електроніки.

Основні особливості

• Відповідність стандарту JEDEC DDR4 SDRAM
• Підтримка швидкості передачі даних до 3200 Мбіт/с (DDR4-3200)
• Робота при низькій напрузі (1,2 В ± 0,06 В) для енергоефективності
• 16-бітна ширина даних для більшої пропускної здатності на чіп
• Інтегрований DLL для точного синхронізування таймінгів
• Підтримка режимів автооновлення, самоновлення та економії енергії
• Широкий діапазон робочих температур (-40 °C до +95 °C) для промислового та автомобільного використання
• корпус 96-ball FBGA забезпечує високу цілісність сигналу

Застосування

• Сервери та системи зберігання
• Мережеве та маршрутизуюче обладнання
• Промислова автоматика та системи керування
• Автомобільні інформаційно-розважальні системи та електронні блоки керування
• Вбудовані платформи та побутова електроніка

Технічні специфікації

Запит на ціну

Для отримання актуальних даних про наявність на складі, ціни та терміни поставки K4A4G165WG-BCWE, будь ласка, вкажіть у запиті кількість (Qty), необхідний термін поставки та цільову ціну. Наша команда оперативно надасть найкращу пропозицію з підтримкою комплектації BOM, оперативних поставок і управління запасами.