K4A4G085WE-BCRC | Чіп пам'яті Samsung DDR4 4 Гб SDRAM | Швидкодіюча, малоспоживаюча пам'ять

Огляд продукту

K4A4G085WE-BCRC — це 4 Гб DDR4 SDRAM від Samsung Semiconductor, організована як 512M × 8, зі швидкістю передачі даних до 2400 Мбіт/с. Завдяки роботі на напрузі всього 1,2 В забезпечується покращена пропускна здатність і нижче енергоспоживання у порівнянні з DDR3. Компактний корпус 96-Ball FBGA забезпечує стабільну роботу та ефективне тепловідведення, що робить його ідеальним рішенням для високопродуктивних обчислювальних систем, мережевого обладнання, автомобільної електроніки та вбудованих систем.

Основні особливості

• Відповідність стандарту JEDEC DDR4 SDRAM
• Підтримка швидкості передачі даних DDR4-2400 (2400 Мбіт/с на контакт)
• Робоча напруга: низька, 1,2 В ±0,06 В
• Вбудований DLL для точного керування часом і синхронізації
• архітектура з 8 банків для ефективного паралельного доступу
• Підтримка автоматичного оновлення та самоновлення
• корпус 96-ball FBGA забезпечує цілісність сигналу
• Широкий діапазон температур (-40°C до +95°C) для промислового використання
• Сумісний з основними платформами CPU та контролерів

Застосування

• Платформи високопродуктивних обчислень і серверів
• Мережеве та маршрутизуюче обладнання
• Промислова автоматика та системи керування
• Автомобільна електроніка та системи інформації та розваг
• Вбудовані материнські плати та побутова електроніка

Технічні специфікації

Запит на ціну

Для отримання актуальних даних про наявність на складі, ціни та терміни доставки K4A4G085WE-BCRC, будь ласка, вкажіть у запиті кількість (Qty), необхідний час поставки та цільову ціну. Наша команда оперативно надішле найкращу пропозицію та підтримку щодо комплектації BOM, постачання з наявного запасу та управління запасами.