Широкосмугові GaAs/GaN еквалайзерні MMIC, розроблені для оптимізації рівномірності системи та нахилу коефіцієнта посилення по частоті, забезпечуючи точну амплітудну компенсацію для радіолокаційних, комунікаційних та випробувальних систем.
Огляд продукту
Мікросхеми регулювання підсилення JARON забезпечують частотно-залежну компенсацію підсилення для усунення спаду амплітуди в широкосмугових системах.
Вони забезпечують стабільну та передбачувану атенюацію або зміну підсилення в діапазоні постійного струму до 40 ГГц, забезпечуючи рівномірну загальну відповідність системи.
Виготовлені за технологією GaAs pHEMT або GaN-on-SiC, ці регулятори мають низькі вносимі втрати, добре пригнічення відбиття сигналу та відмінну температурну стабільність.
Застосування
|
Продукт Модель |
Частота Діапазон (ГГц) |
Внесення втрати (дБ) |
Збалансований кількість (dB) |
Вхід Повернутися Втрати (дБ) |
Вихід Повернутися Втрати (дБ) |
Розміри (мм) |
GXEQ8008 |
0.8~2.7 |
0.6 |
4 |
-26 |
-26 |
1.20x1.50x0.10 3x3QFN |
GXEQ8037 |
1~6 |
1 |
3 |
-20 |
-20 |
0.82x0.80x0.10 |
GXEQ8025 |
2~6 |
1.8@4GHz |
3 |
-18 |
-18 |
0.80x0.75x0.10 |
GXEQ8038 |
2~18 |
1.5 |
8 |
-20 |
-17 |
0.82x0.75x0.10 |
GXEQ8026 |
2~18 |
2 дБ@12 ГГц |
4 |
-20 |
-20 |
0.80x0.75x0.10 |
GXEQ8027 |
2~18 |
2,4 дБ@12 ГГц |
6 |
-20 |
-20 |
0.80x0.75x0.10 |
EN
