K4U8E3S4AD-MGCL0JP | Samsung LPDDR4X 8Gb Bellek Çipi | Yüksek Hızlı, Düşük Güçlü Mobil ve Gömülü Bellek

K4U8E3S4AD- MGCL0JP

mobil, IoT ve gömülü uygulamalar için 8Gb düşük güç tüketimli, yüksek hızlı LPDDR4X DRAM.

Ürün Açıklaması

Ürün Genel Bakış

K4U8E3S4AD-MGCL0JP, Samsung Semiconductor tarafından yüksek performans ve düşük güç tüketimi için optimize edilmiş 8Gb'lık bir LPDDR4X DRAM'dir. Sadece 1.1V'ta çalışarak maksimum 4266 Mbps hıza destek sunar ve üstün bant genişliği ile enerji verimliliği sağlar. 200 bilyeli FBGA paketiyle termal güvenilirlik ve kompakt entegrasyonu garanti eder ve bu da onu akıllı telefonlar, tabletler, otomotiv elektroniği, yapay zeka sistemleri ve gömülü IoT platformları için ideal hale getirir.

Temel Özellikler

JEDEC LPDDR4X standardına uyumludur
Pin başına maksimum 4266 Mbps veri hızı
Düşük voltajlı çalışma: V<sub>DDQ</sub> = 1.1V ± 0.06V
paralel erişim verimliliği için 8 bank mimarisi
Entegre CA eğitimi ve komut gecikmesi optimizasyonu
Aşırı düşük güç tüketimi için otomatik yenileme ve derin güç kapatma modları
üstün sinyal ve termal performans için 200 bilyeli FBGA paket
Kompakt mobil ve gömülü tasarımlar için ideal

Uygulamalar

Akıllı telefonlar ve tabletler
Otomotiv bilgi-eğlence ve navigasyon sistemleri
Endüstriyel otomasyon ve IoT denetleyicileri
Yapay zeka kenar hesaplama ve akıllı terminaller
Akıllı giyilebilir cihazlar ve tüketici elektroniği

Teknik özellikler

Parametre	Değer
Yoğunluk	8 Gb (1G × 8)
Veri oranı	4266 Mbps
VDDQ	1.1V ± 0.06V
Paketleme	200 Topluluklu FBGA
Boyut	10 × 10 × 0.8 mm
Sıcaklık Aralığı	-40°C ~ +95°C
Mimari	8 Banka
Fonksiyonlar	CA Eğitimi, Otomatik Yenileme
Arayüz	LPDDR4X
Enerji Verimliliği	Derin uyku / kendini yenileme modu

Teklif Talebi

K4U8E3S4AD-MGCL0JP ürününün gerçek zamanlı stok, fiyat ve teslimat bilgisi için Lütfen Miktarınızı (Adet), Gerekli Teslim Süresini ve Hedef Fiyatınızı RFQ'nuzda belirtin. Ekibimiz BOM malzeme seti, acil temin ve envanter yönetimi konularında en iyi teklifi hızlı bir şekilde sağlayacaktır.