8Gb mataas na bilis, mababang kuryenteng LPDDR4 DRAM na optimizado para sa mobile at naka-embed na sistema.
Pangkalahatang-ideya ng Produkto
Ang K4F8E304HB-MGCJ ay isang 8Gb LPDDR4 DRAM mula sa Samsung Semiconductor, na idinisenyo para sa mataas na bandwidth at ultra-mababang paggamit ng kuryente. Sumusunod ito sa mga pamantayan ng JEDEC LPDDR4 at sumusuporta sa bilis hanggang 3733 Mbps sa operating voltage na 1.1V. Ang 200-ball FBGA package ay nagagarantiya ng mahusay na signal integrity at kompakto integrasyon, na gumagawa nito bilang perpektong solusyon para sa mga mobile device, automotive system, IoT controller, at industrial embedded platform.
Mga Pangunahing katangian
Mga Aplikasyon
Teknikal na Espekifikasiyon
| Parameter | Halaga |
| Densidad | 8 Gb (1G × 8) |
| Rate ng data | 3733 Mbps |
| VDDQ | 1.1V ± 0.06V |
| Channel | 2 × 16-bit |
| PACKAGE | 200-Ball FBGA |
| Sukat | 10 × 10 × 0.8 mm |
| Saklaw ng Temp | -40°C ~ +95°C |
| Mga Funktion | Pagsasanay sa CA, Automatikong I-refresh |
| Interface | LPDDR4 |
| Kapaki-pakinabang na Enerhiya | Self-refresh / Deep sleep |
Kahilingan ng Quotation
Para sa real-time na stock, presyo, at impormasyon sa paghahatid ng K4F8E304HB-MGCJ, mangyaring isama ang iyong Dami (Qty), Kinakailangang Lead Time, at Target na Presyo sa RFQ. Ang aming koponan ay mabilis na magbibigay ng pinakamahusay na quotation at suporta para sa BOM kitting, spot supply, at pamamahala ng inventory.