K4RAH086VB-BCQK

sDRAM DDR5 ความจุ 16 กิกะบิต ความเร็วสูง กำลังไฟต่ำ สำหรับศูนย์ข้อมูลและแอปพลิเคชันการประมวลผลประสิทธิภาพสูง

คำอธิบายผลิตภัณฑ์

ภาพรวมผลิตภัณฑ์

K4RAH086VB-BCQK เป็น DDR5 SDRAM ขนาด 16Gb จาก Samsung Semiconductor จัดเรียงเป็น 2G × 8 และเป็นไปตามมาตรฐาน JEDEC DDR5 ทำงานที่แรงดัน 1.1V และรองรับอัตราการถ่ายโอนข้อมูลสูงสุด 4800 Mbps ให้แบนด์วิดธ์ที่เหนือกว่าและประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่ดีกว่าเมื่อเทียบกับ DDR4 มาพร้อม PMIC ในตัวเพื่อจัดการพลังงาน และ ECC ในได (on-die ECC) เพื่อเพิ่มความน่าเชื่อถือของข้อมูล เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานในเซิร์ฟเวอร์ การประมวลผลปัญญาประดิษฐ์ อุปกรณ์เครือข่าย และระบบฝังตัวระดับสูง

ลักษณะสําคัญ

มาตรฐาน DDR5 SDRAM ตามข้อกำหนด JEDEC
รองรับอัตราการถ่ายโอนข้อมูลสูงสุด 4800 Mbps (DDR5-4800)
ทำงานที่แรงดัน 1.1V ± 0.05V เพื่อประสิทธิภาพพลังงานที่ดีขึ้น
PMIC ในตัวช่วยลดความซับซ้อนของวงจรจ่ายไฟบนเมนบอร์ด
ECC ในได (on-die ECC) ช่วยเพิ่มความน่าเชื่อถือของข้อมูล
ช่องสัญญาณคู่แบบ 32 บิต รองรับแบนด์วิดธ์ขนานที่สูงขึ้น
รองรับโหมดรีเฟรชอัตโนมัติ การปรับเทียบค่า และโหมดประหยัดพลังงานลึก
แพคเกจ FBGA ขนาดกะทัดรัด 96 บอล ที่ให้สัญญาณความสมบูรณ์สูงสุด

Applications

โมดูลหน่วยความจำสำหรับเซิร์ฟเวอร์และศูนย์ข้อมูล
ตัวเร่งการประมวลผลปัญญาประดิษฐ์และการเรียนรู้เชิงลึก
อุปกรณ์เครือข่ายและเราเตอร์ความเร็วสูง
ระบบอัตโนมัติในอุตสาหกรรมและคอนโทรลเลอร์แบบฝัง
กราฟิกและการประมวลผลประสิทธิภาพสูง (HPC)

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค

พารามิเตอร์	ค่า
ความหนาแน่น	16 กิกะบิต (2G × 8)
อัตราการข้อมูล	4800 Mbps
VDD	1.1V ± 0.05V
การจัดการพลังงาน	ใน PMIC
ECC	On-die ECC
แพ็คเกจ	96-Ball FBGA
มิติ	9 × 8 × 1.2 มม.
ช่วงอุณหภูมิ	-40°C ถึง +95°C
สถาปัตยกรรม	8 Bank × 2 × 32-bit
ฟังก์ชัน	PMIC, ECC, การรีเฟรชอัตโนมัติ
อินเทอร์เฟซ	SSTL_11

ขอใบเสนอราคา

สำหรับข้อมูลสต็อก เปรียบเทียบราคา และการจัดส่งแบบเรียลไทม์ของ K4RAH086VB-BCQK กรุณาใส่จำนวน (Qty) เวลาที่ต้องการนำส่ง และราคาเป้าหมายใน RFQ ทีมงานของเราจะจัดทำใบเสนอราคาที่ดีที่สุดและให้การสนับสนุนด้านการจัดชุด BOM การจัดหาสินค้าคงคลัง และการบริหารจัดการสต็อกอย่างรวดเร็ว