โซลูชันหน่วยความจำ DDR3 ประสิทธิภาพสูงและการใช้พลังงานต่ำสำหรับการประยุกต์ใช้งานด้านอุตสาหกรรมและแบบฝัง
ภาพรวมผลิตภัณฑ์
K4B1G1646I-BYMA เป็นหน่วยความจำ DDR3 SDRAM ขนาด 1Gb จาก Samsung Semiconductor ที่ออกแบบมาเพื่อการใช้งานที่ต้องการแบนด์วิธสูงและกินไฟต่ำ โดยทำงานที่แรงดัน 1.5V และมีอัตราการถ่ายโอนข้อมูลสูงสุดถึง 1600 Mbps จึงให้ประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือได้ยอดเยี่ยม พร้อมแพคเกจ 78-Ball FBGA ที่ช่วยให้การออกแบบมีขนาดกะทัดรัดและมีคุณสมบัติด้านความร้อนที่เสถียร ทำให้เหมาะสำหรับระบบแบบฝัง เครือข่าย ยานยนต์ และอุตสาหกรรม ที่ต้องการประสิทธิภาพของหน่วยความจำอย่างมีประสิทธิภาพ
ลักษณะสําคัญ
Applications
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
| พารามิเตอร์ | ค่า |
| ความหนาแน่น | 1 Gb (128M × 8 / 64M × 16) |
| อัตราการข้อมูล | 1600 Mbps |
| VDD | 1.5V ±0.075V |
| แพ็คเกจ | 78-Ball FBGA |
| มิติ | 9 × 7.8 × 1.2 มม. |
| ช่วงอุณหภูมิ | -40°C ถึง +95°C |
| เวลา | CL=11, tRCD=11, tRP=11 |
| ฟังก์ชัน | รีเฟรชอัตโนมัติ/รีเฟรชด้วยตนเอง, DLL |
| อินเทอร์เฟซ | SSTL_15 |
| การใช้งาน | สำหรับระบบอุตสาหกรรม ยานยนต์ และระบบฝังตัว |
ขอใบเสนอราคา
สำหรับข้อมูลสต็อก เปรียบเทียบราคา และการจัดส่งจริงของ K4B1G1646I-BYMA กรุณาแจ้งจำนวน (Qty) เวลาที่ต้องการให้จัดส่ง และราคาเป้าหมายในแบบฟอร์ม RFQ ทีมงานของเราจะตอบกลับอย่างรวดเร็วด้วยใบเสนอราคาที่ดีที่สุด พร้อมการสนับสนุนการจัดชุด BOM การจัดหาสินค้าคงคลัง และการบริหารจัดการสต็อก
EN
