ชิปหน่วยความจำ DDR4 ขนาด 16Gb ×16 ประสิทธิภาพสูงสำหรับเซิร์ฟเวอร์ อุตสาหกรรม และยานยนต์
ภาพรวมผลิตภัณฑ์
K4AAG165WA-BIWETCT เป็นหน่วยความจำ DDR4 SDRAM ขนาด 16Gb ประสิทธิภาพสูงจาก Samsung Semiconductor ที่จัดเรียงเป็น 1G × 16 รองรับอัตราการถ่ายโอนข้อมูลได้สูงสุด 3200 Mbps ต่อพิน ในระดับแรงดันไฟฟ้า 1.2V โดยรวมเอาความสามารถในการส่งผ่านข้อมูลสูงเข้ากับการใช้พลังงานต่ำ อุปกรณ์นี้มาพร้อมแพคเกจ FBGA 96 บอล ซึ่งมั่นใจในประสิทธิภาพด้านความร้อนและการส่งสัญญาณที่ยอดเยี่ยม ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานในเซิร์ฟเวอร์ ระบบควบคุมอุตสาหกรรม อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์ และระบบคอมพิวเตอร์ที่ใช้ปัญญาประดิษฐ์ ซึ่งต้องการความเสถียรและอายุการใช้งานยาวนาน
ลักษณะสําคัญ
Applications
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
| พารามิเตอร์ | ค่า |
| ความหนาแน่น | 16 กิกะบิต (1G × 16) |
| อัตราการข้อมูล | 3200 Mbps |
| VDD | 1.2V ± 0.06V |
| แพ็คเกจ | 96-Ball FBGA |
| มิติ | 9 × 8 × 1.2 มม. |
| ช่วงอุณหภูมิ | -40°C ถึง +95°C |
| เวลา | CL = 22 ที่ 3200 Mbps |
| ความกว้างของข้อมูล | ×16 |
| ฟังก์ชัน | DLL, การรีเฟรชอัตโนมัติ/อัตโนมัติ |
| อินเทอร์เฟซ | SSTL_12 |
ขอใบเสนอราคา
สำหรับข้อมูลสต็อก สินค้าพร้อมจัดส่ง และราคาจริงของ K4AAG165WA-BIWETCT กรุณาใส่จำนวนที่ต้องการ (Qty), เวลาที่ต้องการให้จัดส่ง (Required Lead Time), และราคาเป้าหมาย (Target Price) ลงในแบบฟอร์มขอใบเสนอราคา (RFQ) ทีมงานของเราจะรีบดำเนินการเสนอราคาที่ดีที่สุด พร้อมบริการสนับสนุนการจัดชุด BOM, การจัดหาสินค้าแบบสปอต และการจัดการสต็อกสินค้า
EN
