K4F8E304HB-MGCJ | Samsung LPDDR4 8Gb čip za memoriju | Visokobrzinska, niskopotrosna mobilna i ugrađena memorija

K4F8E304HB- MGCJ

8Gb високобрзинска, ниског потрошње LPDDR4 DRAM оптимизована за мобилне и уграђене системе.

Opis Proizvoda

Pregled proizvoda

K4F8E304HB-MGCJ je 8 Gb LPDDR4 DRAM od Samsung Semiconductor-a, dizajniran za visoku propusnost i ultra nisku potrošnju energije. U skladu sa JEDEC LPDDR4 standardima, podržava brzine do 3733 Mbps pri radnom naponu od 1,1 V. Paket sa 200 kuglica (FBGA) osigurava izuzetnu integritet signala i kompaktnu integraciju, što ga čini idealnim za mobilne uređaje, automobilske sisteme, kontrolere IoT-a i industrijske ugrađene platforme.

Кључне карактеристике

U skladu sa JEDEC LPDDR4 standardom
Brzina prenosa podataka do 3733 Mbps po pinu
Radi na naponu od 1,1 V ± 0,06 V za ultra nisku potrošnju
Dvostruki 16-bitni kanali za povećanu propusnost
Ugrađeni mehanizam za kalibraciju i obuku komandnih signala (CA training)
Podržava samoočuvanje (self-refresh), duboko isključenje i režime upravljanja potrošnjom
Компактни пакет FBGA са 200 лоптица за поуздану перформансу сигнала
Идеалан за мобилне и уграђене меморијске примене

Примене

Pametni telefoni i tableti
Аутомобилски инфотајмент и навигациони системи
Индустријска контрола и IoT уређаји
AI рачунарство и јединице за обраду на ивици
Носиви и потрошачки електронски уређаји

Tehničke specifikacije

Parametar	Vrednost
Gustina	8 Gb (1G × 8)
Brzina prenosa podataka	3733 Mbps
VDDQ	1,1 V ± 0,06 V
Kanali	2 × 16-бит
Pakovanje	200-лоптицa FBGA
Dimenzije	10 × 10 × 0,8 mm
Темп Ранге	-40°C ~ +95°C
Funkcije	CA obuka, automatsko osvežavanje
Interfejs	LPDDR4
Energetska efikasnost	Samoodrživ/Dubok san

Захтев за понуду

Za trenutne informacije o zalihama, cenama i isporuci K4F8E304HB-MGCJ, u upitu navedite količinu (Qty), potrebno vreme isporuke i ciljnu cenu. Naš tim će brzo pružiti najbolju ponudu i podršku za kompletovanje BOM liste, trenutnu isporuku i upravljanje zalihama.