K4B1G1646I-BYMA | Чип меморије Samsung DDR3 SDRAM | Меморија индустријског квалитета са високим перформансама

Pregled proizvoda

K4B1G1646I-BYMA је 1Gb DDR3 SDRAM чип од корпорације Samsung Semiconductor, дизајниран за примене са великим пропусним опсегом и ниском потрошњом енергије. Ради на 1,5V са брзином података до 1600 Mbps, остварујући изузетне перформансе и поузданост. Пакет од 78 лоптица (FBGA) осигурава компактан дизајн и стабилне термичке карактеристике, због чега је идеалан за уграђене системе, мрежне уређаје, аутомобилску и индустријску примену где се захтева ефикасна перформанса меморије.

Кључне карактеристике

• DDR3 SDRAM у складу са стандардом JEDEC
• Брзина преноса података до 1600 Mbps (DDR3-1600)
• радно напонско напајање 1,5V ±0,075V за смањену потрошњу енергије
• Уграђени DLL за прецизно временско усклађивање и синхронизацију
• Подршка за аутоматско освежавање, самостално освежавање и режим штедње енергије
• Компактни пакет са 78 лоптица (FBGA) за висококвалитетан квалитет сигнала
• Широк опсег радних температура (-40°C до +95°C)
• Дуг животни век производа погодан за индустријска окружења

Примене

• Индустријски системи за управљање и уграђене матичне плоче
• Аутомобилска електроника и системи за информисање и забаву
• Уређаји за мрежну комуникацију и рутери
• Потрошачка електроника и дисплејни системи
• Медицинска инструментария и паметни апарати

Tehničke specifikacije

Захтев за понуду

Za trenutne informacije o zalihama, cenama i isporuci proizvoda K4B1G1646I-BYMA, molimo navedite količinu (Qty), potrebno vreme isporuke i ciljnu cenu u upitu. Naš tim će brzo odgovoriti sa najpovoljnijom ponudom i podrškom za kompletiranje BOM liste, dostupnu robu i upravljanje zalihama.