K4A4G165WG-BCWE | Čip pamäte Samsung DDR4 4Gb ×16 SDRAM | Vysokorýchlostná, nízkoenergetická pamäť

Prehľad produktu

K4A4G165WG-BCWE je 4Gb DDR4 SDRAM od spoločnosti Samsung Semiconductor, usporiadaná ako 256M × 16, ktorá dosahuje rýchlosť prenosu dát až 3200 Mbps na pin. Pri prevádzke s napätím 1,2 V ponúka vynikajúcu energetickú účinnosť a presnosť časovania. Puzdro 96-ball FBGA zabezpečuje kompaktné rozmiestnenie, tepelnú stabilitu a dlhodobú spoľahlivosť – ideálne pre servery, sieťové zariadenia, priemyselnú automatizáciu a automobilovú elektroniku.

Kľúčové vlastnosti

• DDR4 SDRAM štandard v súlade s JEDEC
• Podporuje rýchlosti prenosu dát až 3200 Mbps (DDR4-3200)
• Prevádzka s nízkym napätím (1,2 V ± 0,06 V) pre vyššiu energetickú účinnosť
• 16-bitová dátová šírka pre vyšší prepúšťací tok na čip
• Integrovaný DLL pre presnú synchronizáciu časovania
• Podpora automatického obnovovania, samostatného obnovovania a režimov úspory energie
• Široký pracovný rozsah teplôt (-40 °C do +95 °C) pre priemyselné a automobilové použitie
• balíček FBGA s 96 vývodmi zabezpečuje vynikajúcu integritu signálu

Aplikácie

• Servery a úložné systémy
• Sieťové a smerovacie zariadenia
• Priemyselné riadiace a automatizačné systémy
• Automobilové infotainmentové systémy a elektronické riadiace jednotky
• Embedded platformy a spotrebná elektronika

Technické špecifikácie

Požiadavka na Cenovú Ponuku

Pre aktuálne informácie o sklade, cene a dodacom termíne pre K4A4G165WG-BCWE uveďte vo svojom RFQ množstvo (Qty), požadovaný dodací termín a cieľovú cenu. Náš tím vám rýchlo poskytne najlepšiu cenovú ponuku s podporou pri kompletácii BOM, dodávke zo skladu a riadení zásob.