K4A4G085WE-BCRC | Čip pamäte Samsung DDR4 4Gb SDRAM | Vysokorýchlostná, nízkoprievodová pamäť

K4A4G085WE- BCRC

Vysokopásmové, nízkoenergetické riešenie pamäte DDR4 pre vysokovýkonné a vstavované aplikácie.

Popis produktu

Prehľad produktu

K4A4G085WE-BCRC je 4Gb DDR4 SDRAM od spoločnosti Samsung Semiconductor, usporiadaná ako 512M × 8, s rýchlosťou až 2400 Mbps. Pri prevádzke len pri 1,2 V ponúka zvýšené pásmo a nižšiu spotrebu energie v porovnaní s DDR3. Kompaktný balík 96-vývodového FBGA zabezpečuje stabilnú prevádzku a tepelnú účinnosť, čo ho robí ideálnym riešením pre vysoký výkon výpočtov, siete, automobilový priemysel a vstavateľné systémy.

Kľúčové vlastnosti

DDR4 SDRAM štandard v súlade s JEDEC
Podporuje dátovú rýchlosť DDR4-2400 (2400 Mbps/zapojenie)
Prevádzka pri nízkom napätí 1,2 V ±0,06 V
Vstavaný DLL pre presné časovanie a synchronizáciu
architektúra s 8 bankami pre efektívny paralelný prístup
Podpora automatického a samosprávneho obnovovania
balík 96-vývodového FBGA zabezpečuje integritu signálu
Široký teplotný rozsah (-40 °C až +95 °C) pre priemyselné použitie
Kompatibilné s hlavnými CPU a riadiacimi platformami

Aplikácie

Výkonné výpočtové a serverové platformy
Sieťové a smerovacie zariadenia
Priemyselné riadiace a automatizačné systémy
Automobilová elektronika a infotainment systémy
Embedded mainboardy a spotrebná elektronika

Technické špecifikácie

Parameter	Hodnota
Hustota	4 Gb (512M × 8)
Dátová rýchlosť	2400 Mbps
VDD	1,2 V ±0,06 V
Balenie	96-pätkové FBGA
Rozmer	9 × 8 × 1,2 mm
Prevádzková teplota	-40 °C ~ +95 °C
Časové rozvrhnutie	CL=17, tRCD=17, tRP=17
Funkcie	Automatické / samoobnovovacie, DLL
Rozhranie	SSTL_12
Architektúra	8 banky

Požiadavka na Cenovú Ponuku

Pre aktuálny stav zásob, ceny a informácie o dodaní K4A4G085WE-BCRC uveďte vo svojom dopyte požadované množstvo (Qty), požadovanú dodaciu lehotu a cieľovú cenu. Náš tím vám rýchlo odpovie s najlepšou cenovou ponukou a podporou pri kompletácii BOM, dodávke zo skladu a riadení zásob.