8 Гб энергоэффективная высокоскоростная LPDDR4X DRAM для мобильных устройств, интернета вещей и встраиваемых приложений.
Обзор продукта
K4U8E3S4AD-MGCL0JP — это 8 Гбит LPDDR4X DRAM от Samsung Semiconductor, оптимизированная для высокой производительности и низкого энергопотребления. Работая всего при напряжении 1,1 В и поддерживая скорости до 4266 Мбит/с, она обеспечивает исключительную пропускную способность и энергоэффективность. Благодаря корпусу FBGA с 200 шариками, обеспечивается тепловая надёжность и компактная интеграция, что делает её идеальной для смартфонов, планшетов, автомобильной электроники, систем искусственного интеллекта и встроенных платформ IoT.
Ключевые особенности
Применения
Технические характеристики
| Параметры | Значение |
| Плотность | 8 Гбит (1Г × 8) |
| Скорость передачи данных | 4266 Мбит/с |
| VDDQ | 1,1 В ± 0,06 В |
| Упаковка | 200-шариковый FBGA |
| Размер | 10 × 10 × 0,8 мм |
| Диапазон температур | -40 °C ~ +95 °C |
| Архитектура | 8 банков |
| Функции | Обучение CA, автоматическое обновление |
| Интерфейс | LPDDR4X |
| Энергоэффективность | Глубокий режим сна / режим самоподдержания |
Запрос котировки
Для получения актуальной информации о наличии на складе, ценах и сроках доставки K4U8E3S4AD-MGCL0JP, пожалуйста, укажите в запросе свое количество (Qty), требуемое время поставки и целевую цену. Наша команда незамедлительно предоставит лучшее коммерческое предложение, а также поддержку по комплектации BOM, разовой поставке и управлению запасами.