K4B1G1646I-BYMA | Чип памяти Samsung DDR3 SDRAM | Промышленная высокопроизводительная память

Обзор продукта

K4B1G1646I-BYMA — это 1 Гбит DDR3 SDRAM от Samsung Semiconductor, разработанная для приложений с высокой пропускной способностью и низким энергопотреблением. Работает при напряжении 1,5 В со скоростью передачи данных до 1600 Мбит/с, обеспечивая отличную производительность и надёжность. Корпус 78-Ball FBGA обеспечивает компактность и стабильные тепловые характеристики, что делает его идеальным решением для встраиваемых систем, сетевого оборудования, автомобильной и промышленной электроники, где требуется эффективная работа памяти.

Ключевые особенности

• Соответствие стандарту JEDEC DDR3 SDRAM
• Скорость передачи данных до 1600 Мбит/с (DDR3-1600)
• работа при напряжении 1,5 В ±0,075 В для снижения энергопотребления
• Встроенный DLL для точного управления временными параметрами и синхронизации
• Поддержка режимов автоматического обновления, самонаведения и пониженного энергопотребления
• Компактный корпус 78-Ball FBGA для улучшенного качества сигнала
• Широкий диапазон рабочих температур (-40 °C до +95 °C)
• Длительный жизненный цикл продукта, подходящий для промышленных условий

Применения

• Промышленные системы управления и встроенные материнские платы
• Автомобильная электроника и системы информационно-развлекательной электроники
• Устройства сетевой связи и маршрутизаторы
• Потребительская электроника и системы дисплеев
• Медицинские приборы и интеллектуальные бытовые устройства

Технические характеристики

Запрос котировки

Для получения актуальной информации о наличии на складе, ценах и сроках поставки K4B1G1646I-BYMA, пожалуйста, укажите в запросе количество (Qty), требуемое время поставки и целевую цену. Наша команда оперативно ответит с лучшим коммерческим предложением, а также поддержкой по комплектации BOM, разовым заказам и управлению запасами.