Высокопроизводительный 16 Гб ×16 чип памяти DDR4 для серверов, промышленного и автомобильного применения.
Обзор продукта
K4AAG165WC-BCWE — высокопроизводительная микросхема DDR4 SDRAM объемом 16 Гб от Samsung Semiconductor, организованная как 1 Г × 16 и соответствующая стандартам JEDEC DDR4. Обеспечивает скорость передачи данных до 3200 Мбит/с при напряжении питания всего 1,2 В, обеспечивая высокую пропускную способность с пониженным энергопотреблением. Корпус FBGA с 96 шариками гарантирует превосходную тепловую стабильность и целостность сигнала, что делает чип идеальным для использования в серверах, сетевом оборудовании, системах искусственного интеллекта, промышленной автоматике и автомобильных системах, где требуется долгосрочная надежность.
Ключевые особенности
Применения
Технические характеристики
| Параметры | Значение |
| Плотность | 16 Гб (1G × 16) |
| Скорость передачи данных | 3200 Мбит/с |
| VDD | 1,2 В ± 0,06 В |
| Упаковка | 96-выводный FBGA |
| Размер | 9 × 8 × 1,2 мм |
| Диапазон температур | -40 °C ~ +95 °C |
| Таймер | CL = 22 при 3200 Мбит/с |
| Разрядность данных | ×16 |
| Функции | DLL, автоматическое/самообновление |
| Интерфейс | SSTL_12 |
Запрос котировки
Для получения актуальной информации о наличии на складе, ценах и сроках поставки K4AAG165WC-BCWE, пожалуйста, укажите в запросе количество (Qty), требуемое время поставки и целевую цену. Наша команда оперативно предоставит лучшее коммерческое предложение, а также поддержку по комплектации BOM, разовым поставкам и управлению запасами.