K4AAG165WA-BIWETCT | Чип памяти Samsung DDR4 16 Гб ×16 SDRAM | Высокоскоростная, энергоэффективная промышленная и серверная память

Обзор продукта

K4AAG165WA-BIWETCT — высокопроизводительная 16-гигабитная микросхема DDR4 SDRAM от Samsung Semiconductor, организованная как 1 Г × 16. Поддерживает скорости передачи данных до 3200 Мбит/с на контакт при напряжении питания 1,2 В, сочетая высокую пропускную способность с низким энергопотреблением. Корпус 96-выводной FBGA обеспечивает отличные тепловые и сигнальные характеристики, что делает устройство идеальным для серверов, промышленной автоматики, автомобильной электроники и вычислительных систем на базе ИИ, требующих длительной стабильности и надежности.

Ключевые особенности

• Соответствие стандарту JEDEC DDR4 SDRAM
• Поддерживает скорости передачи данных до 3200 Мбит/с (DDR4-3200)
• Работает при низком напряжении 1,2 В ± 0,06 В для повышения энергоэффективности
• 16-битная ширина данных для высокой пропускной способности на одну микросхему
• Встроенный DLL для точной синхронизации таймингов
• Поддержка режимов автообновления, самонаводки и энергосбережения
• Широкий диапазон рабочих температур (-40 °C до +95 °C) для промышленного применения
• Компактный 96-выводной корпус FBGA с высокими сигнальными и тепловыми характеристиками

Применения

• Модули памяти для серверов и центров обработки данных
• Сетевые и коммуникационные системы
• Промышленные системы управления и встраиваемые контроллеры
• Автомобильные информационно-развлекательные системы и блоки автономного вождения
• Вычислительные системы на базе ИИ и высокопроизводительная электроника

Технические характеристики

Запрос котировки

Для получения актуальных данных о наличии на складе, ценах и сроках поставки K4AAG165WA-BIWETCT укажите в запросе свое количество (Qty), требуемое время поставки и целевую цену. Наша команда оперативно предоставит лучшее коммерческое предложение, а также поддержку по комплектации BOM, разовой поставке и управлению запасами.