K4A8G165WC-BCTD | Чип памяти Samsung DDR4 8 Гб ×16 SDRAM | Высокоскоростная, энергоэффективная промышленная память

Обзор продукта

K4A8G165WC-BCTD — это 8 Гб DDR4 SDRAM от Samsung Semiconductor, организованная как 512M × 16. Работает при напряжении 1,2 В и поддерживает скорости до 3200 Мбит/с, обеспечивая отличную пропускную способность, низкое энергопотребление и высокую целостность сигнала. Благодаря компактному корпусу FBGA с 96 шариками, подходит для высокоплотных серверных модулей, сетевых систем, автомобильной электроники и промышленных встраиваемых решений.

Ключевые особенности

• Соответствует стандарту JEDEC DDR4 SDRAM
• Поддерживает скорости передачи данных до 3200 Мбит/с (DDR4-3200)
• Работает при напряжении 1,2 В ± 0,06 В для низкого энергопотребления и высокой эффективности
• 16-битная ширина данных для увеличения пропускной способности на один чип
• Встроенный DLL для точного управления временными параметрами и синхронизации
• Поддержка автоматического обновления, автономного обновления и режима глубокого энергосбережения
• Широкий диапазон рабочих температур (-40 °C до +95 °C) для промышленного применения
• корпус FBGA с 96 шариками обеспечивает надежную передачу сигнала и тепловые характеристики

Применения

• Модули памяти для серверов и центров обработки данных
• Сетевые и коммуникационные системы
• Промышленная автоматизация и встроенные контроллеры
• Автомобильные информационно-развлекательные системы и блоки управления ИИ
• Потребительская электроника и высококачественные дисплейные продукты

Технические характеристики

Запрос котировки

Для получения актуальной информации о наличии на складе, ценах и сроках поставки K4A8G165WC-BCTD, пожалуйста, укажите в запросе количество (Qty), требуемый срок поставки и целевую цену. Наша команда оперативно ответит с лучшим коммерческим предложением и поддержкой по комплектации BOM, разовой поставке и управлению запасами.