K4A4G165WG-BCWE | Чип памяти Samsung DDR4 4 Гб ×16 SDRAM | Высокоскоростная, энергоэффективная память

Обзор продукта

K4A4G165WG-BCWE — это 4 Гб DDR4 SDRAM от Samsung Semiconductor, организованная как 256 М × 16, обеспечивающая скорость передачи данных до 3200 Мбит/с на контакт. При рабочем напряжении 1,2 В обеспечивает высокую энергоэффективность и точность таймингов. Корпус 96-ball FBGA обеспечивает компактную разводку, термальную стабильность и долгосрочную надёжность — идеально подходит для серверов, сетевого оборудования, промышленной автоматики и автомобильной электроники.

Ключевые особенности

• Соответствие стандарту JEDEC DDR4 SDRAM
• Поддерживает скорости передачи данных до 3200 Мбит/с (DDR4-3200)
• Низкое напряжение питания (1,2 В ± 0,06 В) для повышения энергоэффективности
• 16-битная ширина данных для увеличения пропускной способности на чип
• Встроенный DLL для точной синхронизации таймингов
• Поддержка режимов автообновления, самонаводки и энергосбережения
• Широкий диапазон рабочих температур (-40 °C до +95 °C) для промышленного и автомобильного применения
• корпус FBGA с 96 шариками обеспечивает высокое качество сигнала

Применения

• Серверы и системы хранения данных
• Сетевое и маршрутизирующее оборудование
• Промышленные системы управления и автоматизации
• Автомобильные информационно-развлекательные системы и электронные блоки управления
• Встраиваемые платформы и потребительская электроника

Технические характеристики

Запрос котировки

Для получения актуальной информации о наличии на складе, ценах и сроках поставки K4A4G165WG-BCWE, пожалуйста, укажите в своем запросе количество (Qty), требуемый срок поставки и целевую цену. Наша команда незамедлительно предложит лучшую цену с поддержкой комплектации BOM, разовой поставки и управления запасами.