K4A4G085WE-BCRC | Чип памяти Samsung DDR4 4 Гбит SDRAM | Высокая скорость, низкое энергопотребление

Обзор продукта

K4A4G085WE-BCRC — это 4 Гбит DDR4 SDRAM от Samsung Semiconductor, организованная как 512M × 8, с поддержкой скорости до 2400 Мбит/с. Работая всего при напряжении 1,2 В, она обеспечивает повышенную пропускную способность и более низкое энергопотребление по сравнению с DDR3. Компактный корпус 96-Ball FBGA гарантирует стабильную работу и эффективный теплоотвод, что делает её идеальным решением для высокопроизводительных вычислений, сетевых устройств, автомобильной электроники и встраиваемых систем.

Ключевые особенности

• Соответствие стандарту JEDEC DDR4 SDRAM
• Поддержка скорости передачи данных DDR4-2400 (2400 Мбит/с на контакт)
• Работа при низком напряжении 1,2 В ±0,06 В
• Встроенный DLL для точного управления временными параметрами и синхронизации
• архитектура с 8 банками для эффективного параллельного доступа
• Поддержка автоматического и автономного режимов обновления
• корпус 96-ball FBGA обеспечивает целостность сигнала
• Широкий диапазон рабочих температур (-40 °C до +95 °C) для промышленного применения
• Совместимо с основными платформами ЦП и контроллеров

Применения

• Платформы высокопроизводительных вычислений и серверов
• Сетевое и маршрутизирующее оборудование
• Промышленные системы управления и автоматизации
• Автомобильная электроника и системы информационно-развлекательной электроники
• Встраиваемые материнские платы и бытовая электроника

Технические характеристики

Запрос котировки

Для получения актуальных данных о наличии на складе, ценах и сроках доставки K4A4G085WE-BCRC, пожалуйста, укажите в запросе количество (Qty), требуемое время поставки и целевую цену. Наша команда оперативно ответит с лучшим коммерческим предложением, а также поддержкой по комплектации BOM, разовому обеспечению и управлению запасами.