8Gb de DRAM LPDDR4X de baixo consumo de energia e alta velocidade para aplicações móveis, IoT e embarcadas.
Visão geral do produto
K4U8E3S4AD-MGCL0JP é uma DRAM LPDDR4X de 8 Gb da Samsung Semiconductor, otimizada para alto desempenho e baixo consumo de energia. Operando apenas a 1,1 V e suportando velocidades de até 4266 Mbps, oferece largura de banda excepcional e alta eficiência energética. Com seu invólucro FBGA de 200 esferas, garante confiabilidade térmica e integração compacta, sendo ideal para smartphones, tablets, eletrônicos automotivos, sistemas de IA e plataformas IoT embarcadas.
Principais Características
Aplicações
Especificações Técnicas
| Parâmetro | Valor |
| Densidade | 8 Gb (1G × 8) |
| Taxa de dados | 4266 Mbps |
| VDDQ | 1,1 V ± 0,06 V |
| Pacote | fBGA de 200 bolas |
| Dimensão | 10 × 10 × 0,8 mm |
| Faixa de temperatura | -40°C ~ +95°C |
| Arquitetura | 8 Bank |
| Funções | Treinamento CA, Autoatualização |
| Interface | LPDDR4X |
| Eficiência energética | Modo de suspensão / autoatualização |
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