8Gb de DRAM LPDDR4 de alta velocidade e baixo consumo de energia otimizada para sistemas móveis e embarcados.
Visão geral do produto
O K4F8E304HB-MGCJ é uma DRAM LPDDR4 de 8 Gb da Samsung Semiconductor, projetado para alta largura de banda e operação com ultra-baixo consumo. Conforme os padrões JEDEC LPDDR4, suporta velocidades de até 3733 Mbps com tensão de operação de 1,1 V. O encapsulamento FBGA de 200 terminais garante excelente integridade de sinal e integração compacta, sendo ideal para dispositivos móveis, sistemas automotivos, controladores IoT e plataformas industriais embarcadas.
Principais Características
Aplicações
Especificações Técnicas
| Parâmetro | Valor |
| Densidade | 8 Gb (1G × 8) |
| Taxa de dados | 3733 Mbps |
| VDDQ | 1,1 V ± 0,06 V |
| Canais | 2 × 16 bits |
| Pacote | fBGA de 200 bolas |
| Dimensão | 10 × 10 × 0,8 mm |
| Faixa de temperatura | -40°C ~ +95°C |
| Funções | Treinamento CA, Autoatualização |
| Interface | LPDDR4 |
| Eficiência energética | Autoatualização / Modo de suspensão profunda |
Solicitação de Cotação
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