K4B1G1646I-BYMA | Chip de Memória Samsung DDR3 SDRAM | Memória Industrial de Alto Desempenho

Visão geral do produto

O K4B1G1646I-BYMA é um DDR3 SDRAM de 1 Gb da Samsung Semiconductor, projetado para aplicações de alta largura de banda e baixo consumo de energia. Operando a 1,5 V com taxa de dados de até 1600 Mbps, oferece excelente desempenho e confiabilidade. O invólucro FBGA de 78 bolas garante um design compacto e características térmicas estáveis, tornando-o ideal para sistemas embarcados, redes, automotivo e aplicações industriais que exigem desempenho eficiente de memória.

Principais Características

• DDR3 SDRAM compatível com JEDEC
• Taxa de transferência de dados de até 1600 Mbps (DDR3-1600)
• operação a 1,5 V ±0,075 V para reduzido consumo de energia
• DLL integrado para temporização e sincronização precisa
• Suporta modos de autoatualização, autorefresh e economia de energia
• Invólucro compacto FBGA de 78 bolas para qualidade superior do sinal
• Ampla faixa de temperatura de operação (-40°C a +95°C)
• Ciclo de vida longo do produto, adequado para ambientes industriais

Aplicações

• Sistemas de controle industrial e placas-mãe embutidas
• Eletrônicos automotivos e sistemas de infotenimento
• Dispositivos de comunicação de rede e roteadores
• Eletrônicos de consumo e sistemas de exibição
• Instrumentos médicos e eletrodomésticos inteligentes

Especificações Técnicas

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