Chip de memória DDR4 de 4 Gb de alto desempenho para servidores, sistemas embarcados e de controle industrial.
Visão geral do produto
K4A4G165WG-BCWE é uma SDRAM DDR4 de 4 Gb da Samsung Semiconductor, organizada como 256M × 16, com taxas de transferência de dados de até 3200 Mbps por pino. Operando em 1,2 V, oferece excelente eficiência energética e precisão de temporização. O encapsulamento FBGA de 96 esferas garante um layout compacto, estabilidade térmica e confiabilidade de longo prazo — ideal para servidores, equipamentos de rede, automação industrial e eletrônica automotiva.
Principais Características
Aplicações
Especificações Técnicas
| Parâmetro | Valor |
| Densidade | 4 Gb (256M × 16) |
| Taxa de dados | 3200 Mbps |
| VDD | 1,2 V ± 0,06 V |
| Pacote | fBGA de 96 esferas |
| Dimensão | 9 × 8 × 1,2 mm |
| Faixa de temperatura | -40 °C ~ +95 °C |
| Temporização | CL = 22 @ 3200 Mbps |
| Largura de Dados | ×16 |
| Funções | DLL, Atualização Automática/Própria |
| Interface | SSTL_12 |
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