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Núcleo da Proteção contra ESD e Sobretensão: Estratégias de Diodos TVS em Interfaces de Sinal e Alimentação de Alta Velocidade

Este artigo técnico analisa profundamente os mecanismos de aplicação e a lógica de seleção dos diodos TVS em ambientes de sinal de alta velocidade, interface de alimentação e sobretensão industrial, abrangendo invólucros típicos e tendências futuras de desenvolvimento.

Núcleo da Proteção contra ESD e Sobretensão: Estratégias de Diodos TVS em Interfaces de Sinal e Alimentação de Alta Velocidade

I. ESD e Sobretensão: Ameaças Invisíveis em Sistemas Digitais

Em eletrônicos digitais de alta velocidade e sistemas de gerenciamento de energia, a Descarga Eletrostática (ESD) e tensões transitórias causadas por raios, comutação indutiva ou anomalias em linhas de alimentação representam ameaças significativas, muitas vezes ignoradas. Especialmente em interfaces como USB, HDMI, CAN e Ethernet, picos de tensão em escala de milissegundos podem danificar irreversivelmente as portas de I/O, causar falhas no controlador principal ou forçar reinicializações inesperadas do sistema.

Diodos de Supressão de Tensão Transitória (TVS), projetados para mitigação de ESD e sobretensões, oferecem tempos de resposta sub-nanosegundo (<1 ns), baixas tensões de limitação e alta absorção de energia transitória, sendo indispensáveis no projeto de interfaces robustas.

II. Princípio de Funcionamento e Modelo Comportamental dos Diodos TVS

Os diodos TVS funcionam com base no princípio de ruptura e limitação. Quando a tensão de entrada excede o limiar de ruptura (V BR ), o diodo entra em um modo de condução de baixa impedância, redirecionando a corrente transitória para o terra enquanto limita a tensão em um nível seguro (V Grampo ).

O diodo TVS pode ser modelado como um capacitor em paralelo com um componente semelhante a um Zener, oferecendo resposta ultra-rápida e tolerando altas correntes de pico (I Pp na faixa de dezenas de ampères).

III. Aplicações Típicas e Considerações de Projeto de Circuito

Para linhas de dados de alta velocidade, os diodos TVS devem possuir uma capacitância de junção extremamente baixa (C J <1pF) para evitar degradação do sinal. É essencial escolher modelos TVS de baixa capacitância e posicioná-los próximos aos conectores.

Em estágios de entrada de corrente contínua — por exemplo, em CLPs industriais, UCAs automotivas ou ESCs de drones — os diodos TVS atuam como absorvedores de surto em paralelo com o barramento de entrada, sendo capazes de limitar pulsos conforme as normas ISO 7637 ou IEC 61000.

Ao desligar cargas indutivas, como motores, relés ou bobinas, os diodos TVS absorvem a alta tensão reversa gerada, protegendo os transistores de comutação (MOSFET/IGBT) contra ruptura por avalanche.

IV. Parâmetros Chave para Seleção e Opções de Invólucro

Parâmetro Valor/faixa recomendada
V RWM (tensão máxima de operação) Deve ser 10–20% mais alta que a tensão normal de operação
V BR (tensão de ruptura) Deve ser inferior à tensão de suporte do dispositivo de proteção alvo
V Grampo (tensão de clamp) Quanto menor, melhor, para evitar choque por sobretensão
Eu Pp (corrente máxima de pulso) De acordo com teste padrão (como 8/20μs)
C J (capacitância de junção) Recomendação para sinais de alta velocidade <1pF
Tipo de Embalagem

SOD-323, SOT-23, SMA, SMB, etc.

V. Tendências Futuras e Rota de Integração

Pacotes em array: Arrays de TVS multi-canal para USB/HDMI para proteção compacta;

Dispositivos bidirecionais: Adequados para sinais AC ou portas de comunicação bidirecional;

Integração embutida: Incorporados dentro de invólucros de IC para economizar espaço na placa PCB;

Módulos TVS de alta potência: Módulos industriais para proteção contra surtos em armários de energia ou sistemas ferroviários.

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Aplicação de Diodos TVS na Proteção contra Surtos para Interfaces Ethernet Industriais

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