8 GB pamięci DRAM LPDDR4X o niskim poborze mocy i dużej prędkości dla urządzeń mobilnych, IoT i zastosowań wbudowanych.
Przegląd produktu
K4U8E3S4AD-MGCL0JP to pamięć DRAM LPDDR4X o pojemności 8Gb firmy Samsung Semiconductor, zoptymalizowana pod kątem wysokiej wydajności i niskiego zużycia energii. Działa przy napięciu zaledwie 1,1 V i obsługuje prędkości do 4266 Mb/s, zapewniając wyjątkową przepustowość i efektywność energetyczną. Dzięki obudowie FBGA z 200 wyprowadzeniami gwarantuje niezawodność termiczną i kompaktową integrację, co czyni ją idealną dla smartfonów, tabletów, elektroniki samochodowej, systemów sztucznej inteligencji oraz wbudowanych platform IoT.
Kluczowe cechy
Zastosowania
Specyfikacje techniczne
| Parametr | Wartość |
| Gęstość | 8 Gb (1G × 8) |
| Wskaźnik danych | 4266 Mbps |
| VDDQ | 1,1 V ± 0,06 V |
| Opakowanie | obudowa FBGA 200-pinowa |
| Wymiary | 10 × 10 × 0,8 mm |
| Zakres temperatur | -40°C ~ +95°C |
| Architektura | 8 banków |
| Funkcje | Szkolenie CA, automatyczne odświeżanie |
| Interfejs | LPDDR4X |
| Wydajność energetyczna | Głęboki stan uśpienia / tryb samoodświeżania |
Prośba o wycenę
Aby uzyskać aktualne dane dotyczące stanu magazynowego, cen i terminów dostawy produktu K4U8E3S4AD-MGCL0JP, prosimy o podanie ilości (Qty), wymaganego czasu realizacji oraz docelowej ceny w ofercie. Nasz zespół niezwłocznie przedstawi najlepszą ofertę oraz wsparcie w zakresie komplektowania BOM, dostaw jednostkowych i zarządzania zapasami.