16 Gb szybka, niskoprądowa pamięć DDR5 SDRAM przeznaczona dla centrów danych i aplikacji o wysokiej wydajności obliczeniowej.
Przegląd produktu
K4RAH086VB-BCQK to pamięć DDR5 SDRAM o pojemności 16Gb firmy Samsung Semiconductor, zorganizowana jako 2G × 8, zgodna ze standardami JEDEC DDR5. Działa przy napięciu 1,1 V i obsługuje szybkości przesyłania danych do 4800 Mb/s, oferując lepszą przepustowość i efektywność energetyczną w porównaniu do DDR4. Dzięki zintegrowanemu PMIC zapewniającym zarządzanie energią oraz korekcji błędów ECC na poziomie kości, gwarantuje zwiększoną niezawodność danych. Jest idealna dla serwerów, systemów obliczeń AI, urządzeń sieciowych oraz zaawansowanych systemów wbudowanych.
Kluczowe cechy
Zastosowania
Specyfikacje techniczne
| Parametr | Wartość |
| Gęstość | 16 GB (2G × 8) |
| Wskaźnik danych | 4800 Mbps |
| VDD | 1,1 V ± 0,05 V |
| Zarządzanie energią | wbudowany PMIC |
| ECC | ECC wbudowane w krzem |
| Opakowanie | 96-Ball FBGA |
| Wymiary | 9 × 8 × 1,2 mm |
| Zakres temperatur | -40°C ~ +95°C |
| Architektura | 8 banków × 2 × 32-bitowe |
| Funkcje | PMIC, ECC, automatyczne odświeżanie |
| Interfejs | SSTL_11 |
Prośba o wycenę
Aby uzyskać aktualne informacje dotyczące stanu magazynowego, cen i terminów dostawy produktu K4RAH086VB-BCQK, prosimy o podanie ilości (Qty), wymaganego czasu realizacji oraz docelowej ceny w formularzu RFQ. Nasz zespół niezwłocznie przedstawi najlepszą ofertę oraz wsparcie w zakresie komplektowania listy materiałowej (BOM), dostaw hurtowych i zarządzania zapasami.