8 GB szybkiej pamięci DRAM LPDDR4 o niskim poborze mocy zoptymalizowanej dla systemów mobilnych i wbudowanych.
Przegląd produktu
K4F8E304HB-MGCJ to pamięć DRAM typu LPDDR4 o pojemności 8Gb firmy Samsung Semiconductor, zaprojektowana do pracy z dużą przepustowością i ultra niskim poborem mocy. Zgodna ze standardem JEDEC LPDDR4, obsługuje szybkości transmisji danych do 3733 Mbps przy napięciu roboczym 1,1 V. Obudowa FBGA z 200 wyprowadzeniami zapewnia doskonałą integralność sygnału i kompaktową integrację, co czyni ją idealną dla urządzeń mobilnych, systemów motoryzacyjnych, kontrolerów IoT oraz przemysłowych platform wbudowanych.
Kluczowe cechy
Zastosowania
Specyfikacje techniczne
| Parametr | Wartość |
| Gęstość | 8 Gb (1G × 8) |
| Wskaźnik danych | 3733 Mbps |
| VDDQ | 1,1 V ± 0,06 V |
| Kanały | 2 × 16-bit |
| Opakowanie | obudowa FBGA 200-pinowa |
| Wymiary | 10 × 10 × 0,8 mm |
| Zakres temperatur | -40°C ~ +95°C |
| Funkcje | Szkolenie CA, automatyczne odświeżanie |
| Interfejs | LPDDR4 |
| Wydajność energetyczna | Odświeżanie samoczynne / głęboki sen |
Prośba o wycenę
Aby uzyskać aktualne dane dotyczące stanu magazynowego, cen i terminów dostawy produktu K4F8E304HB-MGCJ, prosimy o podanie ilości (Qty), wymaganego czasu realizacji oraz docelowej ceny w formularzu RFQ. Nasz zespół niezwłocznie przedstawi najlepszą ofertę oraz wsparcie w zakresie kompletowania listy materiałowej (BOM), dostaw jednostkowych i zarządzania zapasami.