K4B1G1646I-BYMA | Układ pamięci Samsung DDR3 SDRAM | Wysokowydajna pamięć przemysłowa

Przegląd produktu

K4B1G1646I-BYMA to pamięć 1Gb DDR3 SDRAM firmy Samsung Semiconductor, zaprojektowana do zastosowań wymagających dużej przepustowości i niskiego poboru mocy. Działa przy napięciu 1,5 V z szybkością transmisji danych do 1600 Mbps, oferując doskonałą wydajność i niezawodność. Obudowa 78-Ball FBGA zapewnia kompaktową konstrukcję i stabilne właściwości termiczne, co czyni ją idealną dla systemów wbudowanych, urządzeń sieciowych, aplikacji samochodowych i przemysłowych, w których wymagana jest efektywna praca pamięci.

Kluczowe cechy

• Zgodna z normą JEDEC pamięć DDR3 SDRAM
• Szybkość transferu danych do 1600 Mbps (DDR3-1600)
• napięcie pracy 1,5 V ±0,075 V dla zmniejszonego poboru mocy
• Wbudowany DLL dla precyzyjnego ustalania czasów i synchronizacji
• Obsługuje automatyczne odświeżanie, samoobsługowe odświeżanie i tryby oszczędzania energii
• Kompaktowa obudowa 78-Ball FBGA dla doskonałej jakości sygnału
• Szeroki zakres temperatur pracy (-40°C do +95°C)
• Długa żywotność produktu odpowiednia dla środowisk przemysłowych

Zastosowania

• Systemy sterowania przemysłowego i wbudowane płyty główne
• Elektronika samochodowa i systemy infotainment
• Urządzenia komunikacyjne i routery sieciowe
• Elektronika użytkowa i systemy wyświetlania
• Przyrządy medyczne i inteligentne urządzenia

Specyfikacje techniczne

Prośba o wycenę

W celu uzyskania aktualnych danych dotyczących stanu magazynowego, cen i terminów dostawy produktu K4B1G1646I-BYMA, prosimy o podanie ilości (Qty), wymaganego czasu realizacji oraz docelowej ceny w formularzu RFQ. Nasz zespół niezwłocznie wyśle najlepszą ofertę oraz wsparcie w zakresie kompletowania listy materiałowej (BOM), dostaw syngularnych i zarządzania zapasami.