K4A8G165WC-BCTD | Układ pamięci Samsung DDR4 8Gb ×16 SDRAM | Wysokoprzepustowa, niskonapięciowa pamięć przemysłowa

Przegląd produktu

K4A8G165WC-BCTD to pamięć 8Gb DDR4 SDRAM firmy Samsung Semiconductor, zorganizowana jako 512M × 16. Działa przy napięciu 1,2 V i obsługuje szybkości do 3200 Mb/s, oferując doskonałą przepustowość, niskie zużycie energii oraz wysoką integralność sygnału. Zwarty obudowa FBGA z 96 wyprowadzeniami czyni ją idealną dla modułów serwerowych o dużej gęstości, systemów sieciowych, elektroniki samochodowej oraz przemysłowych projektów wbudowanych.

Kluczowe cechy

• Zgodna z normą JEDEC pamięć DDR4 SDRAM
• Obsługuje szybkości transmisji danych do 3200 Mb/s (DDR4-3200)
• Działa przy napięciu 1,2 V ± 0,06 V, zapewniając niskie zużycie energii i wysoką wydajność
• szerokość danych 16 bitów dla zwiększonej przepustowości na chip
• Zintegrowany DLL dla precyzyjnego czasowania i synchronizacji
• Obsługa automatycznego odświeżania, samoodświeżania i głębokiego stanu oszczędzania energii
• Szeroki zakres temperatur (-40°C do +95°C) dla zastosowań przemysłowych
• obudowa FBGA z 96 wyprowadzeniami zapewnia niezawodną wydajność sygnału i termiczną

Zastosowania

• Moduły pamięci dla serwerów i centrów danych
• Systemy sieciowe i komunikacyjne
• Automatyzacja przemysłowa i sterowniki wbudowane
• Rozrywka pokładowa i jednostki sterujące AI w pojazdach samochodowych
• Elektronika użytkowa i wysokiej klasy produkty wyświetlające

Specyfikacje techniczne

Prośba o wycenę

Aby uzyskać aktualne informacje dotyczące stanu magazynowego, cen i czasów dostawy produktu K4A8G165WC-BCTD, prosimy o podanie ilości (Qty), wymaganego czasu realizacji oraz docelowej ceny w zapytaniu ofertowym. Nasz zespół niezwłocznie odpowie z najlepszą ofertą oraz wsparciem w zakresie kompletowania listy materiałowej (BOM), dostaw sztukowych i zarządzania zapasami.