K4A4G165WG-BCWE | Chip pamięci Samsung DDR4 4Gb ×16 SDRAM | Wysoka wydajność, niski pobór mocy

Przegląd produktu

K4A4G165WG-BCWE to pamięć DDR4 SDRAM o pojemności 4Gb firmy Samsung Semiconductor, zorganizowana jako 256M × 16, zapewniająca szybkość przesyłania danych do 3200 Mb/s na pin. Działa przy napięciu 1,2 V, oferując doskonałą efektywność energetyczną i precyzję czasowania. Obudowa FBGA z 96 wyprowadzeniami zapewnia kompaktową konstrukcję, stabilność termiczną i długotrwałą niezawodność — idealna dla serwerów, urządzeń sieciowych, automatyki przemysłowej oraz elektroniki samochodowej.

Kluczowe cechy

• Zgodny ze standardem JEDEC DDR4 SDRAM
• Obsługuje szybkości transmisji danych do 3200 Mb/s (DDR4-3200)
• Niskie napięcie pracy (1,2 V ± 0,06 V) dla większej efektywności energetycznej
• 16-bitowa szyna danych dla wyższej przepustowości na chip
• Zintegrowany DLL dla precyzyjnej synchronizacji czasowania
• Obsługa automatycznego odświeżania, samoodświeżania i trybów oszczędzania energii
• Szeroki zakres temperatur pracy (-40 °C do +95 °C) dla zastosowań przemysłowych i motoryzacyjnych
• obudowa FBGA z 96 wyprowadzeniami zapewnia doskonałą integralność sygnału

Zastosowania

• Serwery i systemy pamięci masowej
• Sprzęt sieciowy i routery
• Systemy przemysłowego sterowania i automatyki
• Rozrywka pokładowa i jednostki sterujące w pojazdach samochodowych
• Platformy wbudowane i elektronika użytkowa

Specyfikacje techniczne

Prośba o wycenę

Aby uzyskać aktualne informacje o stanie magazynowym, cenach i czasie dostawy produktu K4A4G165WG-BCWE, prosimy podać ilość (Qty), wymagany czas realizacji oraz docelową cenę w zapytaniu ofertowym. Nasz zespół niezwłocznie przedstawi najlepszą ofertę wraz z obsługą kompletacji listy materiałowej (BOM), dostawą z magazynu i zarządzaniem zapasami.