Wysokopasmowa, niskozapotrzebowana pamięć DDR4 dla zastosowań o wysokiej wydajności i systemów wbudowanych.
Przegląd produktu
K4A4G085WE-BCRC to pamięć 4Gb DDR4 SDRAM firmy Samsung Semiconductor, zorganizowana jako 512M × 8, zapewniająca prędkości do 2400 Mbps. Działając przy napięciu zaledwie 1,2 V, oferuje lepszą przepustowość i niższe zużycie energii w porównaniu z DDR3. Kompaktowy obudowa 96-pinowa FBGA gwarantuje stabilną pracę i efektywność termiczną, co czyni ją idealnym rozwiązaniem dla systemów o wysokiej wydajności obliczeniowej, sieciowych, motoryzacyjnych oraz wbudowanych.
Kluczowe cechy
Zastosowania
Specyfikacje techniczne
| Parametr | Wartość |
| Gęstość | 4 Gb (512M × 8) |
| Wskaźnik danych | 2400 Mbps |
| VDD | 1,2 V ±0,06 V |
| Opakowanie | 96-Ball FBGA |
| Wymiary | 9 × 8 × 1,2 mm |
| Temperatura robocza | -40°C ~ +95°C |
| ## Czasowanie | CL=17, tRCD=17, tRP=17 |
| Funkcje | Auto/Samoodświeżanie, DLL |
| Interfejs | SSTL_12 |
| Architektura | 8 banków |
Prośba o wycenę
Aby uzyskać aktualne informacje o stanie magazynowym, cenach i terminach dostawy produktu K4A4G085WE-BCRC, prosimy podać ilość (Qty), wymagany czas realizacji oraz cenę docelową w formularzu RFQ. Nasz zespół niezwłocznie odpowie z najlepszą ofertą oraz wsparciem w zakresie kompletowania listy materiałowej (BOM), dostaw syngularnych i zarządzania zapasami.