K4U8E3S4AD-MGCL0JP | Samsung LPDDR4X 8Gb-geheugenchip | Hoge snelheid, laagvermogen mobiel en ingebed geheugen

Productoverzicht

K4U8E3S4AD-MGCL0JP is een 8Gb LPDDR4X DRAM van Samsung Semiconductor, geoptimaliseerd voor hoge prestaties en laag stroomverbruik. Met een bedrijfsspanning van slechts 1,1 V en ondersteuning van snelheden tot 4266 Mbps, levert het uitzonderlijke bandbreedte en energie-efficiëntie. Dankzij het 200-ball FBGA-formaat zorgt het voor thermische betrouwbaarheid en compacte integratie, waardoor het ideaal is voor smartphones, tablets, auto-elektronica, AI-systemen en ingebedde IoT-platforms.

Belangrijkste Kenmerken

• Voldoet aan de JEDEC LPDDR4X-standaard
• Gegevenssnelheden tot 4266 Mbps per pin
• Laagspanningsbedrijf: V_DDQ = 1,1 V ± 0,06 V
• 8-bankarchitectuur voor efficiënte parallelle toegang
• Ingebouwde CA-training en optimalisatie van commandolatentie
• Automatisch vernieuwen en diepe powersave-modi voor uiterst laag stroomverbruik
• 200-ball FBGA-behuizing voor superieure signaal- en thermische prestaties
• Ideaal voor compacte mobiele en ingebedde ontwerpen

Toepassingen

• Smartphones en tablets
• Automotive informatie- en navigatiesystemen
• Industriële automatisering en IoT-controllers
• AI-edge computing en intelligente terminals
• Slimme draagbare apparaten en consumentenelektronica

Technische specificaties

Offerteaanvraag

Voor realtime voorraadinformatie, prijzen en levering van K4U8E3S4AD-MGCL0JP, gelieve uw hoeveelheid (aantal), vereiste doorlooptijd en streefprijs op te nemen in uw RFQ. Ons team zal snel de beste offerte verstrekken en ondersteuning bieden voor BOM-kitting, spotlevering en voorraadbeheer.