K4B1G1646I-BYMA | Samsung DDR3 SDRAM-geheugenchip | Industrieel hoogpresterend geheugen

Productoverzicht

K4B1G1646I-BYMA is een 1 Gb DDR3 SDRAM van Samsung Semiconductor, ontworpen voor toepassingen met hoge bandbreedte en laag stroomverbruik. Met een bedrijfsspanning van 1,5 V en een datatransmissiesnelheid tot 1600 Mbps biedt het uitstekende prestaties en betrouwbaarheid. Het 78-Ball FBGA-formaat zorgt voor een compacte constructie en stabiele thermische eigenschappen, waardoor het ideaal is voor ingebedde systemen, netwerken, automotive en industriële toepassingen die efficiënt geheugenvermogen vereisen.

Belangrijkste Kenmerken

• JEDEC-conform DDR3 SDRAM
• Gegevensoverdrachtsnelheid tot 1600 Mbps (DDR3-1600)
• bediening op 1,5 V ±0,075 V voor gereduceerd stroomverbruik
• Ingebouwde DLL voor nauwkeurige timing en synchronisatie
• Ondersteunt automatische vernieuwing, zelfvernauwing en stand-by-modi
• Compact 78-Ball FBGA-formaat voor superieure signaalkwaliteit
• Groot werktemperatuurbereik (-40°C tot +95°C)
• Lange productlevensduur, geschikt voor industriële omgevingen

Toepassingen

• Industriële besturingssystemen en ingebedde mainboards
• Auto-elektronica en infotainmentsystemen
• Netwerkcommunicatieapparaten en routers
• Consumentenelektronica en displaysystemen
• Medische instrumenten en slimme apparaten

Technische specificaties

Offerteaanvraag

Voor actuele voorraadinformatie, prijzen en levering van K4B1G1646I-BYMA, gelieve uw Aantal (Qty), Gewenste Levertijd en Doelprijs op te nemen in de RFQ. Ons team reageert onmiddellijk met de beste offerte en ondersteuning voor BOM-kitting, spotlevering en voorraadbeheer.