TL062ACDR

ဒြပ်စင်နှစ်ခုပါ စွမ်းအင်သိမ်းဆည်းမှုနည်းသော JFET-Input စက်ပြုလုပ်မှုကိရိယာ | ±1.5V မှ ±18V အထိ ကျယ်ပြန့်သော ပါဝါထောက်ပံ့မှုအပိုင်း | အမြင့်ဆုံးဝင်ရိုးအခုခံမှု၊ နိမ့်ကျသော ဘိုင်အက်စ်ဗို့အားနှင့် နိမ့်ကျသော စွမ်းအင်သုံး အနာလော့စီးဂနယ် ချဲ့ချာကိရိယာ

ထုတ်ကုန်ဖော်ပြချက်

ထုတ်ကုန်အကြောင်းအရာ

Texas Instruments မှ TL062ACDR သည် ထည့်သွင်းမှုအားတားဆီးမှုမြင့်မားခြင်း၊ ထည့်သွင်းမှုဘိုင်အက်စ်လျှပ်စီးကြောင်းနိမ့်ပါးခြင်းနှင့် စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုအနည်းဆုံးလိုအပ်သည့် အသုံးပြုမှုများအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော ဒြပ်ထုနည်း JFET ထည့်သွင်းမှု အော်ပရေရှင်နယ် အမ်ပလီဖိုင်ယာဖြစ်ပါသည်။ ၎င်းတွင် ပုံမှန်ပါဝါလျှပ်စီးကြောင်း 200 µA နှင့် ထည့်သွင်းမှုဘိုင်အက်စ်လျှပ်စီးကြောင်း 50 pA ခန့်ပါဝင်ပြီး ဘက်ထရီဖြင့် အလုပ်လုပ်သောစနစ်များ၊ ဆင်ဆာ ဆိုင်းနယ်အခြေအနေညှိခြင်းနှင့် ပိုက်ဆံအိတ်အတွက် အနာလောဂျ် စတင်မှုဆိုင်ရာ စက်ကွင်းများတွင် အသုံးပြုရန် သင့်တော်ပါသည်။

±1.5 V မှ ±18 V (သို့) 3 V–36 V တစ်ခုတည်းသော ပါဝါပေးစွာဖြင့် အလုပ်လုပ်နိုင်ပြီး TL062ACDR သည် ကောင်းမွန်သော မျဉ်းဖြောင့်စွမ်းဆောင်ရည်၊ အသံဆူမှုနည်းပါးမှုနှင့် အပူချိန်အကွာအဝေးတစ်လျှောက် တည်ငြိမ်သော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းနိုင်ပါသည်။ SOIC-8 (D) ထုပ်ပိုးမှုဖြင့် ထုတ်လုပ်ထားပြီး စက်မှုလုပ်ငန်း၊ အသံနှင့် တိုင်းတာကိရိယာစနစ်များတွင် အသုံးပြုရန် သင့်တော်ပါသည်။

အဓိက လက္ခဏာများ

ဒြပ်ဆွဲ JFET-ထည့်သွင်းမှု လည်ပတ်မှုပြောင်းလဲမှုများ
ပါဝါပေးစွာ အကျယ်: ±1.5 V မှ ±18 V သို့မဟုတ် 3 V–36 V တစ်ခုတည်းသော ပါဝါပေးစွာ
အလွန်နိမ့်သော ပါဝါပေးစွာ စီးကူးမှု: ပျမ်းမျှ 200 µA
မြင့်မားသော ထည့်သွင်းမှု ခုခံမှု: ပျမ်းမျှ 10¹² Ω
နိမ့်သော ထည့်သွင်းမှု ဘိသိရိ စီးကူးမှု: ပျမ်းမျှ 50 pA
နိမ့်သော ထည့်သွင်းမှု အနိမ့်အမြင့် ဗို့အား: ပျမ်းမျှ 3 mV
အဖြစ်များသော-မုဒ် ပယ်ချမှု အချိုး (CMRR): 70 dB
အမြှောက်- bandwidth ကုန်ပစ္စည်း (GBW): 1 MHz
အလုပ်လုပ်နိုင်သော အပူချိန်အကွာအဝေး: –40 °C မှ +125 °C
ပက်ကေ့ခ်ျ - SOIC-8 (D), RoHS / REACH နှင့်ကိုက်ညီမှု

အသုံးပြုမှုများ

ဘက်ထရီဖြင့်အလုပ်လုပ်ပြီး သယ်ဆောင်ရလွယ်ကူသောစနစ်များ
ဆင်ဆာဆီဗာအမှတ်အသားချဲ့ခြင်းနှင့် အနားလိုက်ရှေ့ဘက်စနစ် (AFE)
အသံချဲ့ခြင်းနှင့် စစ်ထုတ်ကွန်ရက်များ
ဆေးဘက်ဆိုင်ရာစောင့်ကြည့်ခြင်းနှင့် ကိရိယာများ
စက်မှု အလိုအလျောက်စနစ်များနှင့် ထိန်းချုပ်ရေးစနစ်များ
မိုက်ခရိုကာရန့်တိုင်းတာခြင်းနှင့် အီလက်ထရိုနစ်ခုခံမှုမြင့်တိုင်းတာခြင်း

အကြီးအကျယ်ဆုံး သတ်မှတ်ချက်များ

ပါရာမီတာ	အသေးစိတ်အချက်အလက်
အမှတ်တံဆိပ်	Texas Instruments (TI)
အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်	TL062ACDR
ချဉ်းကျော်အရေအတွက်	၂ (တွဲ)
ထည့်သွင်းမှုအမျိုးအစား	JFET ထည့်သွင်းမှု
က:";	±1.5 V – ±18 V သို့မဟုတ် 3 V–36 V တစ်ခုတည်းသောပါဝါပေးစွာ
ကရန်စာရင်း	200 µA (ပျမ်းမျှ)
ဘိုင်အက်စ် လျှပ်စီး	50 pA (ပုံမှန်)
ဝင်ရောက်မှု အတားအဆီး	10¹² Ω (ပုံမှန်)
GBW	1 MHz (ပုံမှန်)
လှိုင်းအသုံးပြုမှု	-40 °C မှ +125 °C အထိ
ထုပ်ပိုး	SOIC-8 (D)
လိုက်နာမှု	RoHS / Pb-Free / REACH

RFQ နှင့် ပံ့ပိုးမှု

Jaron သည် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ စတော့နှင့် နည်းပညာအကူအညီပြည့်ဝစွာဖြင့် TI TL062ACDR အမှန်ကို ပေးပို့ပါသည်။
RFQ တွင် ပမာဏ၊ စျေးနှုန်း၊ ရက်ချိန်း (ETA) နှင့် အသုံးပြုမည့်နေရာအချက်အလက်များ ထည့်သွင်းပေးပါ။
BOM ကစ်တင်း၊ EOL အစားထိုးမှု အကဲဖြတ်ခြင်း၊ PPV ကုန်ကျစရိတ် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းနှင့် ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းရှိ ဆီမီကွန်ဒပ်က်တာများ ရယူပေးခြင်းတို့ကို ကျွန်ုပ်တို့ ပေးအပ်ပါသည်။

📩 အီးမေးလ် - [email protected]