MOSFETs: ခေတ်မီစွမ်းအင်ထိန်းချုပ်မှုစနစ်များ၏ နှလုံးသား

စွမ်းအင်ပြောင်းလဲမှုအတွက် စံနှုန်းအသစ်

ယနေ့ခေတ် အီလက်ထရောနစ်ဒီဇိုင်းများတွင် MOSFET များသည် စွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်းနှင့် ထိန်းချုပ်မှု၏ ဗဟိုချက်ဖြစ်လာပါသည်။ ကိုင်တွယ်ရလွယ်သော မိုဘိုင်းကိရိယာများမှ စွမ်းအင်အများဆုံးသုံး ကားများအထိ ဤထရားန်စစ်တာများသည် ဒီဇိုင်နာများလိုအပ်သော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးဆောင်ပါသည် - မြန်မြန်ပြောင်းလဲနိုင်ခြင်း၊ စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်းနှင့် ပူခြင်းကို ကောင်းစွာခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း။

စက်မှုလုပ်ငန်းများသည် ပိုမိုမြင့်မားသော ထိရောက်မှုနှင့် ပိုမိုသေးငယ်သည့် ပုံသဏ္ဍာန်အတွက် ရွေ့လျားလာသည်နှင့်အမျှ MOSFET နည်းပညာသည် ဆက်လက်၍ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လျက်ရှိပါသည်။ အလွန်နိမ့်သော R_DS(on)၊ ဂိတ်အားသွင်းမှုကို လျော့နည်းစေခြင်းနှင့် တိုးတက်သော တရန်ခ်ဖွဲ့စည်းပုံများဖြင့် ခေတ်မီ MOSFET များသည် လျှပ်စစ်ဓာတ်အား အသုံးပြုမှု အားလုံးတွင် ရိုးရာ bipolar ထရာန်စစ်တာများကို သာလွန်နေပါသည်။

အင်ဂျင်နီယာများသည် ဘာကြောင့် MOSFET များကို ရွေးချယ်ကြသနည်း

အင်ဂျင်နီယာများသည် ဗို့အားဖြင့် ထိန်းချုပ်နိုင်မှုနှင့် မြန်နှုန်းမြင့် တုံ့ပြန်မှုတို့ကြောင့် MOSFET များကို နှစ်သက်ကြပါသည်။ စီးရီးဓာတ်အားဖြင့် မောင်းနှင်သော BJT များနှင့်မတူဘဲ MOSFET သည် ဂိတ်စီးရီးဓာတ်အား အနည်းငယ်သာ လိုအပ်ပြီး အပူကို လျော့နည်းစေကာ ထိရောက်မှုကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

ဤအားသာချက်ကြောင့် MOSFET များသည် အောက်ပါတို့အတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်ပါသည်။

ပိုက်ဆံအိတ်နှင့် မိတ်ဖွဲ့စနစ်များတွင် DC-DC ပြောင်းလဲစက်များ

စက်မှုအလိုအလျောက်နှင့် ရိုဘော့တစ်များတွင် မော်တာထိန်းချုပ်မှု

EV နှင့် IoT ထုတ်ကုန်များတွင် ဘက်ထရီကာကွယ်မှုနှင့် စွမ်းအင်စီမံခန့်ခွဲမှု

အိုင်ဗာတာများနှင့် LED မောင်းနှင်စက်များတွင် မြန်နှုန်းမြင့် ပိတ်ဖွင့်မှု

၎င်း၏ ပြောင်းလဲနိုင်မှုကြောင့် MOSFET များသည် စွမ်းအင်မြှင့်ခြင်းနှင့် အချက်ပြ ပိတ်ဖွင့်မှုနှစ်မျိုးလုံးအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်ပြီး အနာလော့နှင့် ဒစ်ဂျစ်တယ် နယ်ပယ်များကို ဆက်သွယ်ပေးပါသည်။

ဒီဇိုင်းဆိုင်ရာ အသိပညာ

MOSFET ကိုရွေးချယ်ရာတွင် V_DSS, I_D နှင့် R_DS(on) တို့ကဲ့သို့သော အရေးကြီးဆုံးဖြစ်သည့် ပါရာမီတာအချို့ပေါ်တွင် မူတည်ပါသည်။

RDS(on) နိမ့်ပါက ပိုမိုနည်းပါးသော ပြောင်းလဲမှုဆုံးရှုံးမှုများကို ဆိုလိုပြီး Qg (ဂိတ်အားသွင်းမှု) သေးငယ်ပါက ပိုမိုမြန်ဆန်သော ပြောင်းလဲမှုနှုန်းနှင့် စွမ်းအင်ပိုမိုခြုံတာမှုကို ရရှိစေပါသည်။

ပက်ကေ့ခ်ျရွေးချယ်မှုသည်လည်း အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ SOT-23 နှင့် DFN2020 ကဲ့သို့သော အရွယ်အစားသေးငယ်သည့် ပက်ကေ့ခ်ျများသည် နေရာကျဉ်းများတွင် အသုံးပြုသည့် စားသုံးသူအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်ပြီး TO-220 သို့မဟုတ် TO-263 (D_PAK) ပက်ကေ့ခ်ျများသည် ပါဝါမော်ဂျျကျူးများနှင့် ကားစနစ်များအတွက် ပိုမိုမြင့်မားသော လျှပ်စီးကို ကိုင်တွယ်နိုင်မှုကို ပေးစွမ်းပါသည်။

ခေတ်မီ surface-mount MOSFET များသည် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို မစွန့်လွှတ်ဘဲ ပိုမိုသေးငယ်သော PCB ဒီဇိုင်းများကို ဖြစ်နိုင်စေရန် ပိုမိုကောင်းမွန်သော အပူဖြန့်ကျက်မှုကိုလည်း ပေးစွမ်းပါသည်။

ကမ္ဘာတွင်ရှိသော အသုံးပြုမှုများ

EV ဘက်ထရီမော်ဂျျကျူးများ - MOSFET များသည် အပူဓာတ်အနည်းငယ်သာ တည်ဆောက်ခွင့်ပြုပြီး ပိုမိုဘေးကင်းပြီး တည်ငြိမ်သော လည်ပတ်မှုကို သေချာစေရန် အားသွင်းခြင်းနှင့် အားထုတ်ခြင်း စက်ဝိုင်းများကို စီမံခန့်ခွဲပါသည်။

DC မော်တာထိန်းချုပ်မှု - ၎င်းတို့၏ မြန်ဆန်သော ပြောင်းလဲမှုသည် စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရင်း အတိအကျထိန်းချုပ်နိုင်သော အမြန်နှုန်းကို ဖြစ်စေပါသည်။

ပါဝါအဒပ်ကိရိယာများနှင့် အားသွင်းကိရိယာများ- တံခါးပေါက်ခံနိုင်ရည်နည်းပါးပြီး စွမ်းဆောင်ရည်နိမ့်သည် ပြောင်းလဲခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပြီး အသင့်အနေအထားပါဝါကို လျှော့ချပေးသည်။

နေရောင်ခြည် အိုင်ဗာတာများ - ဗို့အားမြင့် MOSFET များသည် လျှပ်စီးကြောင်း ပြောင်းလဲမှုများရှိစဉ်ကာလအတွင်းတွင်ပါ ထိရောက်စွာ လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။

ဤအသုံးချမှုတစ်ခုစီသည် တည်ငြိမ်သော ဗို့အားထိန်းချုပ်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားရင်း လျှပ်စီးကြောင်း မြန်မြန်ပြောင်းလဲမှုများကို ကိုင်တွယ်နိုင်မှုရှိသည့် MOSFET ၏ စွမ်းရည်အပေါ် အခြေခံနေပါသည်။ အခြားထရာန်ဆစ္စတာနည်းပညာများနှင့် မတူညီသော အင်္ဂါရပ်ဖြစ်သည်။

ပါဝါဒီဇိုင်း၏ အနာဂတ်

နောက်မျိုးဆက် MOSFET များသည် GaN (Gallium Nitride) နှင့် SiC (Silicon Carbide) ပစ္စည်းများသို့ ရွေ့လျားလာနေပါသည်။ ဤကျယ်ပြန့်သော bandgap ကွဲပစ္စည်းများသည် ပိုမိုမြင့်မားသော ဗို့အားခံနိုင်မှုနှင့် ထိရောက်မှုကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး ပိုမိုသေးငယ်ပြီး ပိုမိုအေးမြကာ မြန်ဆန်သော စနစ်များ တည်ဆောက်ရာတွင် ဦးဆောင်လမ်းပြနေပါသည်။

သို့ရာတွင် ရိုးရာ ဆီလီကွန် MOSFET များသည် သက်သေပြနိုင်သော စွမ်းဆောင်ရည်၊ ကုန်ကျစရိတ်အားသာချက်နှင့် ပေးပို့မှု ရရှိနိုင်မှုကျယ်ပြန့်မှုတို့ကြောင့် အဓိက ပါဝါလျှပ်နှီးပညာ၏ အခြေခံအုတ်မြစ်အဖြစ် ဆက်လက်ရှိနေမည်ဖြစ်သည်။

အင်ဂျင်နီယာများသည် စွမ်းအင်ထိရောက်မှု၊ အပူစီမံခန့်ခွဲမှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုတို့ကို အာရုံစိုက်လာခဲ့သည်နှင့်အမျှ MOSFET ဒီဇိုင်းများသည် ကမ္ဘာ့စွမ်းအင်စံနှုန်းများနှင့် ပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာ ရည်မှန်းချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ရန် ဆက်လက်တိုးတက်လျက်ရှိပါသည်။

အကြောင်းရင်းများ

N-Channel နှင့် P-Channel အမျိုးအစားများ နှစ်မျိုးလုံးကို 20V မှ 600V အထိ ဗို့အားများအတွက် ကျွန်ုပ်တို့ထံတွင် ကျယ်ပြန့်သော MOSFET အမျိုးအစားများကို ပေးပို့ပါသည်။

စားသုံးသူ၊ စက်မှုလုပ်ငန်းနှင့် ကားများအတွက် သင့်တော်သော logic-level, power နှင့် dual-channel MOSFET များကို ကျွန်ုပ်တို့၏ ပိုင်ဆိုင်မှုများတွင် ပါဝင်ပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့သည် အောက်ပါတို့ကိုလည်း ပေးပို့ပါသည်။

စတော့ကုန်ပစ္စည်းများ ရှာဖွေပေးခြင်းနှင့် BOM kitting

MOQ ကို လိုက်လျောညီထွေရှိစွာ ပံ့ပိုးပေးခြင်းနှင့် ကြိုတင်ကာလ တည်ငြိမ်မှု

ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ဖောက်သည်များအတွက် ငွေကြေးအမျိုးမျိုးကို ကုန်သွယ်မှုပံ့ပိုးပေးခြင်း

အစိတ်အပိုင်းအားလုံးသည် RoHS နှင့် REACH စံနှုန်းများနှင့် ကိုက်ညီပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရမှုအတွက် 100% စမ်းသပ်စစ်ဆေးထားပါသည်။

MOSFET ထရာန်ဆစ်တာများ | Power MOSFET များ | N-channel MOSFET များ | P-channel MOSFET များ | မော်တာထိန်းချုပ်မှု | မြန်ဆန်သော switching | နိမ့်သော RDS(on) | စွမ်းအင်စီမံခန့်ခွဲမှု | DC-DC ပြောင်းလဲမှု | သံလိုက်စွမ်းအင် module များ