မိုဘိုင်းနှင့် အမှီအငှားစနစ်များအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ထားသော 8Gb အမြင့်မြန်၊ စွမ်းအင်နည်းပါးသော LPDDR4 DRAM
ထုတ်ကုန်အကြောင်းအရာ
K4F8E304HB-MGCJ သည် Samsung Semiconductor မှထုတ်လုပ်သော 8Gb LPDDR4 DRAM ဖြစ်ပြီး အမြင့်ဆုံး bandwidth နှင့် အလွန်နိမ့်သော စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါသည်။ JEDEC LPDDR4 စံနှုန်းများနှင့်ကိုက်ညီပြီး 1.1V အလုပ်လုပ်မှုဗို့အားတွင် ပင်ချီလျှင် 3733 Mbps အထိ ပံ့ပိုးပေးနိုင်ပါသည်။ 200-ball FBGA ပက်ကေ့ခ်ျသည် အကောင်းဆုံး signal integrity နှင့် အတွင်းပိုင်းပေါင်းစပ်မှုကို သေချာစေပြီး mobile device များ၊ ကားစနစ်များ၊ IoT controller များနှင့် စက်မှုအသုံးပြုမှုများအတွက် သင့်တော်ပါသည်။
အဓိက လက္ခဏာများ
အသုံးပြုမှုများ
နည်းပညာဆိုင်ရာ သတ်မှတ်ချက်များ
| ပါရာမီတာ | တန်ဖိုး |
| သိပ်သည်းမှု | 8 Gb (1G × 8) |
| ဒေတာအဆောက်အလွှာ | 3733 Mbps |
| VDDQ | 1.1V ± 0.06V |
| ချောင်းများ | 2 × 16-ဘစ် |
| ထုပ်ပိုး | 200-Ball FBGA |
| အရွယ်အစား | 10 × 10 × 0.8 mm |
| အိမ်လှုပ်ရှားမှုအওင်းအကျင်း | -40°C ~ +95°C |
| လုပ်ဆောင်ချက်များ | CA လေ့ကျင့်ရေး၊ အလိုအလျောက် ပြန်လည်တင်ဆောင်ခြင်း |
| ကြားခံစနစ် | LPDDR4 |
| စွမ်းအင်ထိရောက်ခြင်း | ကိုယ်တိုင်ပြန်လည်ဖွင့်မြင်ခြင်း / နက်ရှိုင်းစွာအိပ်စက်ခြင်း |
အကြိုက်အချိန်တောင်းဆိုချက်
K4F8E304HB-MGCJ ၏ လက်ရှိစတော့၊ စျေးနှုန်းနှင့် ပို့ဆောင်မှုအချက်အလက်များအတွက် သင့်တင်ပြမှုတွင် ပမာဏ (Qty)၊ လိုအပ်သော အချိန်ကာလနှင့် ပစ်မှတ်စျေးနှုန်းကို ထည့်သွင်းပေးပါ။ BOM kitting၊ နေရာအလိုက်ပေးပို့ခြင်းနှင့် စတော့စီမံခန့်ခွဲမှုအတွက် ကျွန်ုပ်တို့၏အဖွဲ့မှ အကောင်းဆုံးစျေးနှုန်းကို အမြန်ဆုံးပေးပို့ပေးပါမည်။