Schottky Diode များက အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများတွင် ခလုတ်ဖွင့်ပိတ် ထိရောက်မှုကို မည်သို့တိုးတက်စေသည်

ပိုဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် Schottky ဒိုင်အိုဒ်များ၏ အခန်းကဏ္ဍနှင့် ပြောင်းလဲမှုထိရောက်ခိုင်အားကို နားလည်ခြင်း

စွမ်းဆောင်ရည်ပြောင်းလဲခြင်း၏ ထိရောက်မှုသည် အီလက်ထရောနစ်စနစ်များသည် ဤကူးပြောင်းမှုများအတွင်း စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကို အနည်းငယ်အတိုင်းအတာအထိ လျှော့ချရင်း ပိုမိုကောင်းမွန်စွာ ပြောင်းလဲနိုင်မှုကို ရည်ညွှန်းပါသည်။ ရှောက်ကီဒိုင်ယိုဒ်များကို ထင်ရှားစေသည့်အချက်မှာ ၎င်းတို့၏ သတ္တုမှ ကွဲပြားသော ဆီမီကွန်ဒပ်တာ ချိတ်ဆက်မှုဖြစ်ပါသည်။ ဤဒီဇိုင်းသည် PN ဒိုင်ယိုဒ်များကို ပြဿနာဖြစ်စေသော အနည်းစုကူးပြောင်းသည့် ကာလနှောင့်နှေးမှုများကို ဖယ်ရှားပေးပါသည်။ အခြားသော ဆီမီကွန်ဒပ်တာစွမ်းဆောင်ရည်နှင့်ပတ်သက်သော မကြာသေးမီက လေ့လာမှုအချို့အရ DC-DC ပြောင်းလဲသည့်စနစ်များတွင် ရှောက်ကီဒိုင်ယိုဒ်များကို အသုံးပြုပါက 98% ခန့် စွမ်းဆောင်ရည်ရှိနိုင်ကြောင်း တွေ့ရှိရပါသည်။ ယခင်က ဒိုင်ယိုဒ်နည်းပညာများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အပူဓာတ်ဖိအားကို 30 မှ 40 ရာခိုင်နှုန်းခန့် လျှော့ချနိုင်သည့်အတွက် ဤစွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားမှုများသည် စနစ်၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် သက်တမ်းတိုးရန် အလွန်အရေးပါပါသည်။

အဓိက အားသာချက်များ - အနိမ့်ဆုံး ရှေ့ဘက်ဗို့အားကျဆင်းမှုနှင့် သိမ်းဆည်းမှုကာလ သုညနီးပါးဖြစ်ခြင်း

ရှောက်ကီဒိုင်ယိုဒ်များ၏ သာလွန်မှုကို သတ်မှတ်ပေးသည့် အရေးကြီး ဂုဏ်လက္ခဏာ နှစ်ခုမှာ

1. အနိမ့်ဆုံး ရှေ့ဘက်ဗို့အား (Vf) ပုံမှန်အားဖြင့် 0.15–0.45V , ဆီလီကွန် PN ဒိုင်အုတ်များအတွက် 0.7–1.1V နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ဗို့အားနည်းသော အသုံးချမှုများတွင် ပြောင်းလဲမှုဆုံးရှုံးမှုကို 50% အထိ လျော့နည်းစေသည်။
2. ပြောင်းပြန် ပြုပြင်မှု အချိန်ကင်းမဲ့ခြင်း : သိုလှောင်ထားသော ဓာတ်အား မရှိခြင်းကြောင့် ပြောင်းပြန်အပ်မှုကို နာနိုစက္ကန့်အောက် အဆင့်သို့ လျော့နည်းစေပြီး စွမ်းအင်လျှပ်စစ်ပညာရပ်ဆိုင်ရာ လတ်တလော သုတေသနများတွင် အတည်ပြုထားပါသည်။

ဤလက္ခဏာများကြောင့် ဘက်ထရီဖြင့် အလုပ်လုပ်သော ကိရိယာများတွင် စွမ်းအင်ထိန်းသိမ်းမှုသည် တိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်မှုရှိသောကြောင့် မရှိမဖြစ် အရေးပါလာပါသည်။

လက်တွေ့အသုံးချမှုများတွင် ပုံမှန် PN ဆက်သွယ်မှု ဒိုင်အုတ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ခြင်း

အထူးသတ်မှတ်ချက်	Schottky Diode	PN ဆက်သွယ်မှု ဒိုင်အုတ်
ရှေ့ဆုံး အားဖြင့် အားလုံးကို တွက်ချက်ထားသည်။	0.15–0.45V	0.7–1.1V
ပြောင်းပြန် ပြုပြင်မှု	<1 ns	50–500 ns
5V တွင် စွမ်းဆောင်ရည်	95–98%	80–85%

နေရောင်ခြည်အိုင်ဗာတာများနှင့် မော်တာများတွင် Schottky diodes များသည် စနစ်တစ်ခုလုံး၏ ဆုံးရှုံးမှုကို 12–18% အထိ လျော့နည်းစေပြီး ပိုမိုမြန်ဆန်သော switching ဖြင့် လျှပ်စစ်သံလိုက်အနှောင့်အယှက် (EMI) ကို အနည်းဆုံးဖြစ်စေသည်။ သို့သော် ၎င်းတို့၏ ပြန်လည်စီးဆင်းမှုဓာတ်အားမြင့်မားခြင်း (µA အဆင့်) ကြောင့် အပူချိန်မြင့်မားသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ဂရုတစိုက်ဒီဇိုင်းဆွဲရန် လိုအပ်သည်။

မြန်ဆန်သော Switching အမြန်နှုန်းနှင့် ပြောင်းလဲမှုဆုံးရှုံးမှုကို လျော့နည်းစေခြင်း

အလွန်မြန်ဆန်သော switching ကို ဖြစ်ပေါ်စေရန် မျိုးစုံသော ကူးပြောင်းမှုမရှိခြင်း၏ အခန်းကဏ္ဍ

Schottky diodes များသည် သတ္တု-ကျွန်းဆွေပစ္စည်း ဆက်သွယ်မှုဖွဲ့စည်းပုံကြောင့် မျိုးစုံသော ကူးပြောင်းမှုကို ဖယ်ရှားပေးပြီး 10 နာနိုစက္ကန့်အောက်တွင် ပြောင်းလဲမှုအချိန်ကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ ဤဂုဏ်သတ္တိသည် PN ဆက်သွယ်မှုများတွင် ဖြစ်ပေါ်လေ့ရှိသော အားသွင်းစုဆောင်းမှုနှောင့်နှေးမှုများကို ရှောင်ရှားခြင်းဖြင့် ပုံမှန် diodes များထက် ပိုမိုမြန်ဆန်သော switching ကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။

စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုင်းတာခြင်း - တက်လာသည့်အချိန်၊ ကျဆင်းသည့်အချိန်နှင့် switching ဆုံးရှုံးမှုများအပေါ် သက်ရောက်မှု

အင်ဂျင်နီယာများသည် တုံ့ပြန်မှု စတင်/ကျဆင်းမှု အချိန်တိုင်းတာမှုများကို အသုံးပြု၍ ပြောင်းလဲမှု ထိရောက်မှုကို တိုင်းတာကြပြီး စက်မှုလုပ်ငန်း စံချိန်များအရ Schottky diodes များသည် silicon ဒိုင်အုတ်များထက် 70% ပိုမြန်သော ပြောင်းလဲမှု ဖြစ်စဉ်များကို ရရှိကြောင်း ပြသထားပါသည်။ ပြောင်းလဲမှု အချိန်များ လျော့နည်းလာခြင်းသည် မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းရှိ အသုံးချမှုများတွင် ပြောင်းလဲမှုဆုံးရှုံးမှုများကို တစ်ခါပြောင်းလဲချိန်လျှင် 1.2W အထိ လျော့နည်းစေပါသည်။

လေ့လာမှု ဥပမာ - DC-DC ပြောင်းလဲမှုစက်များတွင် ယာယီတုံ့ပြန်မှု မြှင့်တင်ခြင်း

မကြာသေးမီက ပြုလုပ်သော လေ့လာမှုတစ်ခုတွင် load transients အတွင်း voltage overshoot လျော့နည်းစေခြင်းဖြင့် Schottky diodes များသည် DC-DC ပြောင်းလဲမှုစက်၏ ထိရောက်မှုကို 18% မြှင့်တင်ပေးနိုင်ကြောင်း တွေ့ရှိခဲ့ပါသည်။ ဤစွမ်းဆောင်ရည် တိုးတက်မှုသည် ဒိုင်အုတ်၏ 5 နန်းစက္ကန့်အတွင်း ပြန်လည်ရရှိမှု ထိပ်ဆုံးများကို ထိန်းချုပ်နိုင်စွမ်းကြောင့် ဖြစ်ပြီး 500kHz နှင့်အထက် ပြောင်းလဲမှု ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် တည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းပေးပါသည်။

အနိမ့်ဆုံး ရှေ့ဘက် Voltage Drop နှင့် ပို့ဆောင်မှုဆုံးရှုံးမှု လျော့နည်းခြင်း

Schottky diode တွေဟာ ချိတ်ဆက်မှု ထိရောက်မှုမှာ တကယ်ကို ထင်ရှားပါတယ်၊ အကြောင်းက ၎င်းတို့မှာ ရှေ့ကို လျှပ်စစ်အားလျှပ်စစ်ကျဆင်းမှု (Vf) သိပ်ကို နည်းလို့ပါ။ ဒီကိရိယာတွေအတွက် ကိန်းဂဏန်းတွေက ၀.၁၅ ကနေ ၀.၄၅ ဗို့လောက်ရှိပြီး ပုံမှန် ဆီလီကွန် PN ဒိုင်အောက်ဆိုက်တွေမှာ ၀.၇ ကနေ ၁.၂ ဗို့လောက်လိုပါတယ်။ ဆိုလိုတာက Vf မှာ ၆၀ ကနေ ၇၅ ရာခိုင်နှုန်းအထိ လျှော့ချထားတာပါ။ ဒါက လည်ပတ်မှုအတွင်း အပူအဖြစ် ဆုံးရှုံးတဲ့ စွမ်းအင်ကို အများကြီး လျော့စေပါတယ်။ IEEE က ၂၀၂၃ မှာ ထုတ်ဝေခဲ့တဲ့ သုတေသနတစ်ခုအရ Schottky diode ကို ထည့်သွင်းတဲ့ စနစ်တွေဟာ ကုမ္ပဏီတွေကို အပူပိုင်း စီမံခန့်ခွဲမှု ကုန်ကျစရိတ် ၃၇% ခန့်ကို ချွေတာနိုင်ပါတယ်၊ ဒီလက္ခဏာကြောင့်ပဲ မြင့်မားတဲ့ လျှပ်စစ် အခြေအနေတွေကို ကိုင်တွယ်တဲ့အခါမှာပါ။

Vf နိမ့်သည် စွမ်းအင် ဆုံးရှုံးမှုကို မည်ကဲ့သို့ လျှော့ချပြီး အပူစွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်စေသနည်း။

Schottky diodes တွင် သတ္တု-ကြိုးပြုပြုလုပ်ထားသော ဆန္ဒြစ်ဆဲလ်ကြောင့် အနည်းငယ်သော အားသာချက်များကို သိမ်းဆည်းထားခြင်းမရှိပါ။ ဤအချက်ကြောင့် အခြားသော အားသာချက်များကို အသုံးပြုနိုင်သောကြောင့် အခြေအနေများကို ပိုမိုမြန်ဆန်စွာ ပြောင်းလဲနိုင်ပြီး အတွင်းရှိ ဗို့အားကျဆင်းမှုကို နိမ့်နေစေပါသည်။ တကယ့်စွမ်းဆောင်ရည် ညွှန်းကိန်းများကို ကြည့်သောအခါ ဗို့အား (Vf) ကို ၀.၁ ဗို့လျော့နည်းစေခြင်းဖြင့် ၅ အမ်ပီယာတွင် လည်ပတ်နေစဉ် စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကို ၁၈% လျော့နည်းစေပါသည်။ ဤသည့်အတွက်ကြောင့် ခေတ်မှီ ၄၈ ဗို့အားရှိသော ဆာဗာစွမ်းအင်စနစ်များတွင် ဤအစိတ်အပိုင်းများသည် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍကို ပါဝင်လာပါသည်။ Schottky diode တစ်ခုသည် ၀.၃ ဗို့သာ ကျဆင်းမှုရှိပြီး စီလီကွန်ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော အစိတ်အပိုင်းများကဲ့သို့ ၀.၇ ဗို့အထိ ကျဆင်းမှုရှိခြင်းမှာ နှစ်ဆနီးပါးဖြစ်ပါသည်။ ဒေတာစင်တာရှိ တစ်ခုလုံးကို တွက်ချက်ပါက တစ်နှစ်လျှင် တစ်ခုလျှင် ၂၄ ဝပ်ခန့် စွမ်းအင်ကို ခြွေတာနိုင်ပြီး အချိန်ကြာလာသည်နှင့်အမျှ စုစုပေါင်းစွမ်းအင်ကို ခြွေတာနိုင်ပါသည်။

ပိုက်ဆံသုံးသောနှင့် ဘက်ထရီမှ စွမ်းအင်ရယူသော ကိရိယာများတွင် ထိရောက်မှုမြှင့်တင်မှုများကို တိကျစွာတွက်ချက်ခြင်း

Vf နိမ့်ခြင်းကြောင့် Schottky diodes များသည် ပုံမှန် diode များနှင့် တိုက်ရိုက်နှိုင်းယှဉ်ပါက smartphone များ၏ အားသွင်းစနစ်တွင် ဘက်ထရီသက်တမ်းကို ၁၅ ရာခိုင်နှုန်းမှ ၂၀ ရာခိုင်နှုန်းအထိ တိုးတက်စေနိုင်ပါသည်။ ၂၀၂၃ ခုနှစ်က TechInsights ၏ အစီရင်ခံစာအရ GaAs Schottky အခြေပြု USB-PD controller များသည် စွမ်းဆောင်ရည် ၉၄.၁% ရှိပြီး silicon ပေါ်တွင် အခြေခံသော ဗားရှင်းများကမူ ၈၈.၆% သာ ရရှိခဲ့ပါသည်။ ထူးခြားဖွယ်ရာ အချက်မှာ လျှပ်စစ်ကား (EV) များတွင် ဘက်ထရီသက်တမ်းကို ၁၂ ရာခိုင်နှုန်းခန့် တိုးတက်စေရန် diode ရွေးချယ်မှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားသည့် ကားများတွင်လည်း အလားတူရလဒ်များကို တွေ့ရှိခဲ့ရပါသည်။ ဤဂဏန်းများသည် မတူညီသော စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် စွမ်းဆောင်ရည်ပိုမိုကောင်းမွန်စေရန် ထုတ်လုပ်သူများ ဤအထူးပြုပစ္စည်းများကို ပိုမိုအသုံးပြုလာကြခြင်း၏ အကြောင်းရင်းကို ရှင်းလင်းစွာ ဖော်ပြနေပါသည်။

ဒီဇိုင်း အလဲအလှယ် – Vf နိမ့်ခြင်းနှင့် ပြန်လည်ယိုစိမ့်မှု ဓာတ်လိုက်အား ပိုများခြင်းကို ဟန်ချက်ညီအောင် ထားခြင်း

Vf သည် 0.3V အောက်တွင် ထိရောက်မှုကို တိုးတက်စေသော်လည်း ဒီဇိုင်းနာများသည် ပြောင်းပြန်လျှပ်စီးဆင်းမှုကို တိုးတက်စေသော အချက်ကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် လိုအပ်ပါသည်။ ဥပမာ- 125°C တွင် 100µA အထိ ဖြစ်ပေါ်နိုင်သောကြောင့် မြင့်မားသောဗို့အား ဆီလီကွန်ဒိုင်အိုဒ်များတွင် <1µA ဖြစ်ပေါ်မှုထက် ပိုမိုများပြားစေသည်။ ဆီလီကွန်ကာဘိုဒ် (SiC) ရှော့ချီဒိုင်အိုဒ်များကဲ့သို့ ခေတ်မှီဖြေရှင်းချက်များသည် ကျယ်ပြန့်သော စွမ်းရည်ကွာဟမှုပစ္စည်းများကို အသုံးပြုခြင်းအားဖြင့် ဤပြဿနာကို လျော့နည်းစေပြီး ဆန့်ကျင်ဘက်လျှပ်စီးဆင်းမှုကို 175°C junction အပူချိန်တွင်ပင် <10µA အထိ ထိန်းသိမ်းထားပေးနိုင်သည်။

စမစ်-မုဒ် ပါဝါစနစ်များနှင့် မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း ဆားကစ်များတွင် အရေးကြီးသော အသုံးချမှုများ

SMPS နှင့် DC-DC ပြောင်းလဲသောစနစ်များ၏ ထိရောက်မှုကို တိုးတက်စေရာတွင် ရှော့ချီဒိုင်အိုဒ်များ၏ အခန်းကဏ္ဍ

Schottky diodes တွေဟာ switch mode power supplies (SMPS) နဲ့ DC မှ DC သို့ပြောင်းလဲပေးသည့် ကိရိယာများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို အမှန်အကန် မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ အထူးသဖြင့် ပုံမှန်ဒိုင်ယိုဒ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက 2023 ခုနှစ်က စွမ်းအင်လျှပ်စစ်နယ်ပယ်တွင် ပြုလုပ်ခဲ့သော လေ့လာမှုများအရ စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကို အနှေးစား 20 ရာခိုင်နှုန်းခန့် လျှော့ချပေးနိုင်သည့် အတွက် အထူးထင်ရှားပါသည်။ Schottky diodes တွေရဲ့ ထူးခြားချက်ကတော့ ရှေ့ဘက်သို့ ဖြတ်သန်းသော ဗို့အားကျဆင်းမှု အလွန်နည်းပါးခြင်းဖြစ်ပြီး စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချပေးနိုင်ခြင်းပဲ ဖြစ်ပါတယ်။ DC မှ DC သို့ buck converter များကို သီးသန့်ကြည့်ပါက၊ Schottky diodes များသည် ဗို့အားကို ပိုမိုတည်ငြိမ်စေပြီး စက်အတွင်းပိုင်း အပူချိန်ကိုလည်း ပိုမိုနိမ့်ကျစေပါသည်။ ယနေ့ခေတ် ဒီဇိုင်းများတွင် ၁ MHz အထက်တွင် အလုပ်လုပ်ကိုင်နေကြသည့် မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းများတွင် ဤကွာခြားမှုများကို ပိုမိုသိသာစွာ တွေ့ရပါမည်။

စွမ်းဆောင်ရည် အကျိုးကျေးဇူးများ - EMI လျော့နည်းခြင်း၊ အပူစီမံခန့်ခွဲမှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု

Schottky diode များတွင် ပြန်လည်သိမ်းဆည်းမှုအချိန်ကို ဂျီဒီမရှိပါ။ ထို့ကြောင့် ပြောင်းလဲမှုဖြစ်ပေါ်သည့်အခါ ဤမလိုအပ်သော ဗို့အားတက်ခြင်းများကို မဖန်တီးပါ။ ဤအချက်သည် စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် လျှပ်စစ်မဂ္ဂနက်တစ် ဝင်ရောက်မှု (EMI) ကို အမှန်အကန် ၃၀ ရာခိုင်နှုန်းခန့် လျော့ကျစေပါသည်။ ရှေ့ဘက်သို့ ဗို့အားကျဆင်းမှုနိမ့်ခြင်းကြောင့် အပူဓာတ်လည်း နည်းပါးစေပြီး အင်ဂျင်နီယာများသည် နေ့စဉ် သယ်ဆောင်နေရသော ကိရိယာများအတွက် အရေးကြီးသည့် အပူချိန်ကျစေရန် အပိုအေးခဲ့မှုများ မလိုအပ်ဘဲ ပိုသေးငယ်သော ထုတ်ကုန်များကို ဒီဇိုင်းထုတ်နိုင်ပါသည်။ နောက်ဆုံးပေါ်စမ်းသပ်မှုအချို့အရ ဆက်သွယ်ရေးကိရိယာများတွင် ၁၀,၀၀၀ နာရီကြာ အဆက်မပြတ် အသုံးပြုပြီးနောက် ဤ diode များသည် အွန်လိုင်းတွင် ၉၈.၅% ခန့် ရှိနေကြောင်း တွေ့ရှိရပြီး စမ်းသပ်ခန်းရလဒ်များနှင့် လက်တွေ့အခြေအနေများတွင် အနည်းငယ်ကွဲပြားနိုင်ပါသည်။

ကားစနစ်များနှင့် ပြန်လည်တည်ဆောက်နိုင်သော စွမ်းအင်အခြေခံအဆောက်အအုံများတွင် အသုံးပြုမှု တိုးပွားလာခြင်း

ယနေ့ခေတ်တွင် ကားထုတ်လုပ်သူများသည် လျင်မြန်စွာ ပိတ်/ဖွင့်နိုင်မှုကြောင့် 800V DC မြန်နှုန်းမြင့် အားသွင်းစနစ်များနှင့် အလုပ်လုပ်သည့်အခါ ထိုကဲ့သို့သော အစိတ်အပိုင်းများသည် ၉၉% ထိရောက်ရှိနိုင်သောကြောင့် လျှပ်စစ်ကား ဘက်ထရီစီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်များနှင့် ကားပေါ်ရှိ အားသွင်းကိရိယာများတွင် Schottky diodes များထည့်သွင်းလာကြပါသည်။ နေရောင်ခြည်ပြားများအတွက်ဆိုလျှင် ဆီလီကွန်ကာဘိုဒ် (SiC) Schottky diodes ဖြင့်တပ်ဆင်ထားသော အုပ်စုလိုက်ပြောင်းသော စွမ်းအင်ပြောင်းကိရိယာများသည် ၂၀၂၄ ခုနှစ်အတွင်း နေကိုအခြေခံသော စွမ်းအင်နည်းပညာဆိုင်ရာ အစီရင်ခံစာများအရ ကြီးမားသော စွမ်းအင်ထုတ်လုပ်မှုနေရာများတွင် နေနှင့်ထပ်တူ စွမ်းအင်ကို ၂% ပိုမိုရယူနိုင်ပါသည်။ နောင်တွင် မျှော်လင့်ထားသည့်အတိုင်း လေတိုက်ရန်ကိရိယာများတွင် ပိုကောင်းသော လှည့်ချောင်းထိန်းချုပ်မှုနှင့် လျှပ်စစ်ဓာတ်အားကွန်ရက်များအတွက် စွမ်းအင်သိမ်းဆည်းရန်အတွက် အသုံးပြုသော စွမ်းအင်နှစ်မျိုးလုပ်ဆောင်သော ပြောင်းလဲသောကိရိယာများတွင်လည်း ထိုကဲ့သို့ diodes များကို တွေ့ရပါလိမ့်မည်။ အကြောင်းမှာ ကျွန်ုပ်တို့၏ ပိုမိုရှုပ်ထွေးလာသော စမတ်ဓာတ်အားကွန်ရက်များတွင် စွမ်းအင်ကို ပိုမိုထိရောက်စွာ လမ်းကြောင်းခွဲစေရန် လုပ်ငန်းစဉ်များမှ ဖိအားများလာနေခြင်းကြောင့်ဖြစ်ပါသည်။

ဆီလီကွန်ကာဘိုဒ် (SiC) Schottky Diodes - နောက်ထပ်မျိုးဆက်တွင် ထိရောက်မှုကိုတိုးတက်စေခြင်း

အမြင့်စွမ်းအင်နှင့် အပူချိန်မြင့်မားသော ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် SiC Schottky Diodes ၏ သာလွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်

Silicon Carbide (သို့) SiC Schottky diode တွေဟာ သာမန် silicon diode တွေကို ခဲယဉ်းတဲ့ အသုံးအဆောင်တွေမှာ လက်နဲ့ လက်ထက် ပိုနိုင်ကြတယ်။ အကြောင်းက ဒီပစ္စည်းက ဘာလုပ်နိုင်တာကြောင့်ပါ။ မကြာသေးမီက semiconductor ကဏ္ဍက သုတေသနအရ ဒီ SiC အစိတ်အပိုင်းတွေဟာ ပုံမှန် ရွေးချယ်မှုတွေနဲ့စာရင် ဆယ်ဆလောက် ပိုမြင့်တဲ့ ပြတ်တောက်မှု voltage ကို ရယူနိုင်ပြီး အပူချိန်က ဒီဂရီ ဆဲလ်ဆီယပ် ၂၀၀ ကျော်တောင် အဆင်ပြေစွာ ဆက်လက်လုပ်ဆောင်ပါတယ်။ ဒီပူနွေးမှု ခံနိုင်ရည်က ထုတ်လုပ်သူတွေဟာ စက်မှု မော်တာကြီးတွေ၊ နေရောင်ခြည် အပြောင်းအလဲစက်တွေလို အရာတွေအတွက် ဒီလောက် ရှုပ်ထွေးတဲ့ အအေးပေးစနစ်တွေ မလိုတော့ဘူးလို့ ဆိုလိုတာပါ။ ပုံမှန်အားဖြင့် အပူချိန်မြင့်ပြီး တစ်ခါတစ်လေမှာ ၁၂၅ ဒီဂရီ စင်တီဂရိတ်ကျော်ပြီး ထိုင်နေတာပေါ့။ SiC အတွက် နောက်ထပ် အဓိက အတိုးအလျှော့က အခြေခံအားဖြင့် ပြန်လည်ရရှိရေး အားသွင်းမှု ပြဿနာတွေ လုံးဝမရှိတာကြောင့် 10kHz ထက် ပိုမြင့်တဲ့ ကြိမ်နှုန်းမြင့် စွမ်းအင် ပြောင်းလဲမှု အချိုးအစားတွေမှာ ချိတ်ဆက်မှု ဆုံးရှုံးမှု သိသိသာသာ ကျဆင်းပါတယ်။

စက်မှုလုပ်ငန်းအသုံးချမှုများတွင် SiC နှင့် ဆီလီကွန် Schottky Diodes များ၏ စွမ်းဆောင်ရည် စံချိန်များ

SiC ၏ အားသာချက်များကို ကမ္ဘာပေါ်တွင် အမှန်တကယ်စမ်းသပ်မှုများအား ပြုလုပ်ပြီး အချက်အလက်များဖြင့် တိုင်းတာဖော်ပြထားသည့် နောက်ဆုံးလေ့လာမှုများ -

• 650V DC-DC ပြောင်းလဲရေးကိရိယာများတွင် ဆီလီကွန်နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက စီးဆင်းမှုဆုံးရှုံးမှု 25% နည်းပါးခြင်း
• လျှပ်စစ်ကားများအတွက် အားသွင်းစခန်းများတွင် စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုသို့မဟုတ် ထုတ်လုပ်မှုနှုန်း 40% တိုးတက်ကောင်းမွန်ခြင်း
  စက်မှုလုပ်ငန်းဆိုင်ရာ စွမ်းဆောင်ရည်နှိုင်းယှဉ်မှုများအရ SiC Schottky diodes သည် သုံးဖောက်ပြောင်းလဲရေးကိရိယာများတွင် 50 kW တွင် စွမ်းဆောင်ရည် 98.5% အထိ ဖြစ်ပေါ်စေပြီး ဆီလီကွန်ဒိုင်အိုဒ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက 3.2 ရာခိုင်နှုန်း ပိုမိုကောင်းမွန်သည်။ 100°C ကျော်လွန်သောအခါတွင် ဤကွာခြားချက်မှာ ပိုမိုကျယ်ပြန့်လာသည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် ဆီလီကွန်ပစ္စည်းများသည် စိမ့်ယိုမှုစီးဆင်းမှု ပိုမိုဆိုးရွားလာသောကြောင့်ဖြစ်သည်။

အနာဂတ်တိုးတက်မှုများ - နောက်မျိုးဆက် ပါဝါစနစ်များအတွက် ကျယ်ပြန့်သော ဘန်းဂက်ပ် ဆီမီကွန်ဒပ်က်တာများနှင့် ပေါင်းစပ်ခြင်း

ယနေ့ခေတ်အသွင်ပြောင်းလဲနေသော ဒီဇိုင်းများသည် ဆီလီကွန်ကာဘိုဒ် Schottky diodes များနှင့် ဂယ်လီယမ် နိုက်ထရိုက် ထရန်စစ်တာများကို ရောစပ်အသုံးပြုကာ ၁ MHz မှုနှုန်းများတွင် ဝိုင်ယာလက်စ် စွမ်းအင်လွှဲပြောင်းမှုစနစ်များတွင် ၉၉% ထိရောက်ရှိသော ဟိုက်ဘရစ် မော်ဂျူးများကို ဖန်တီးနေပါသည်။ နောက်ထပ်မျိုးဆက် အီလက်ထရစ်ကားများကို တီထွင်နေသော ကားထုတ်လုပ်သည့်ကုမ္ပဏီများသည် ဤ SiC အစိတ်အပိုင်းများဖြင့် ၈၀၀V ဘက်ထရီ စီစဉ်မှုများကို စမ်းသပ်နေပါသည်။ ရလဒ်အနေဖြင့် အသုံးအဆောင်များထက် ၃၅% ပိုမိုလေးလျော့နည်းသော ဘုတ်ပေါ်ချာဂျာများကို ရရှိနိုင်ပြီး လည်ပတ်မှုအတွင်းတွင် ဖြစ်ပေါ်သော ၁၅၀၀V ဗို့အားခုန်တက်မှုများကို ကိုင်တွယ်နိုင်ပါသည်။ နောက်တစ်ဆင့်တွင် ၂၀၃၀ ခုနှစ်အတွင်းတွင် EU စွမ်းအင်ရည်မှန်းချက်များကို ရောက်ရှိရန်အတွက် ဤကဲ့သို့သော နည်းပညာများသည် အလွန်အရေးပါမည်ဖြစ်ပါသည်။ စမတ်ဂရစ် လည်ပတ်သူများနှင့် ရထားလမ်းကုမ္ပဏီများသည် သူတို့၏ အခြေခံအဆောက်အအုံ တိုးတက်မှုများအတွက် SiC ဖြေရှင်းချက်များကို စိတ်ဝင်စားနေပြီး ဖြစ်ပါသည်။ ထောင်နှင့်ချီသော ကီလိုမီတာ တံခွန်များတွင် စွမ်းအင်လိုအပ်ချက်များကို ကိုင်တွယ်ရာတွင် ထိရောက်မှု၏ ရာခိုင်နှုန်းအနည်းငယ်ကိုပင် အရေးကြီးသည်။

မေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ

Schottky diodes ကိုအသုံးပြုခြင်း၏ အဓိကအားသာချက်များမှာ အဘယ်နည်း

Schottky ဒိုင်ယိုဒ်များသည် အနှိမ့်ဖက်သို့ ဖိအားကျဆင်းမှုနည်းပါးခြင်း၊ ပြန်ကြားချိန်သုညနီးပါးရှိခြင်း၊ ပြောင်းလဲမှုအတွင်း စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်းတို့ကို ပေးစွမ်းပါသည်။ ဤလက္ခဏာများကြောင့် ဘက်ထရီဖြင့် အလုပ်လုပ်သော ကိရိယာများတွင် အလွန်ထိရောက်စွာ အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

Schottky ဒိုင်ယိုဒ်များသည် ပုံမှန် PN ဆူးချိတ်ဒိုင်ယိုဒ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက မည်သို့နည်း။

Schottky ဒိုင်ယိုဒ်များသည် ပုံမှန် PN ဆူးချိတ်ဒိုင်ယိုဒ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပိုမိုထိရောက်သော စွမ်းဆောင်ရည်၊ ပိုမြန်သော ပိတ်/ဖွင့် အမြန်နှုန်း၊ အနှိမ့်ဖက်သို့ ဖိအားကျဆင်းမှုနည်းပါးခြင်းတို့ကို ပေးစွမ်းပါသည်။ ထို့ကြောင့် ဆောလာအုပ်စုများနှင့် မော်တာများကို မောင်းနှင်ရာတွင် အသုံးပြုရန် သင့်လျော်ပါသည်။

Silicon Carbide (SiC) Schottky ဒိုင်ယိုဒ်များကို မည်သည့်နေရာတွင် အသုံးပြုသနည်း။

Silicon Carbide (SiC) Schottky ဒိုင်ယိုဒ်များကို အမြင့်ဆုံးဖိအားခံနိုင်မှုနှင့် ပြန်ကြားချိန်နည်းပါးမှုကြောင့် အမြင့်ဆုံး စွမ်းအင်နှင့် အပူချိန်များသော ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် အသုံးပြုပါသည်။ ထို့ကြောင့် စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် အသုံးပြုသော မော်တာများနှင့် ဆောလာအုပ်စုများတွင် အသုံးပြုရန် သင့်လျော်ပါသည်။

Schottky ဒိုင်ယိုဒ်များကို အများအားဖြင့် မည်သည့်နေရာများတွင် အသုံးပြုသနည်း။

Schottky diode များကို ထိရောက်မှုနှင့် အလျင်အမြန်ပြောင်းလဲနိုင်သည့်စွမ်းရည်တို့ကြောင့် switch-mode power supply များ၊ DC-DC converter များ၊ လျှပ်စစ်ကားဘက်ထရီစီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်များ၊ နေရောင်ခြည်ပြားများ၊ လေတိုက်စက်များ စသည်တို့တွင် အသုံးအများဆုံးဖြစ်ပါသည်။